普通整流麻豆国产一区整流麻豆国产一区是利用PN結的單向導電特性，把交流電變成脈動直流電。整流麻豆国产一区漏電流較大，多數采用麵接觸性料封裝的麻豆国产一区。整流麻豆国产一区的外形如圖1所示，另外，整流麻豆国产一区的參數除前麵介紹的幾個外，還有最大整流電流，是指整流麻豆国产一区長時間的工作所允許通過的最大電流值。它是整流麻豆国产一区的主要參數，是選項用整流麻豆国产一区的主要依據，高頻整流麻豆国产一区1、快恢複麻豆国产一区FRD（Fast RecoveryDiode）快恢複麻豆国产一区的內部結構與普通麻豆国产一区不同，它是在P型、N型矽材料中間增加了基區！，構成P-l-N矽片。由於基區很薄，反向恢複電荷很小，不僅大大減小了trr值，還降低了瞬態正向壓降，使管子能承受很高的反向工作電壓。快恢複麻豆国产一区的反向恢複時間一般為幾百納秒，正向電流是幾安培至幾幹安培，反向峰值電壓可達幾百到幾幹伏。具有開關特性好，反向恢複時間Trr短、正向電流大、體積小、安裝簡便等優點。可廣泛用於開關電源、脈寬調製器（PWM）、不間斷電源（UPS）、交流電動機變頻調速（VVVF）、高頻加熱等裝置中，作高頻、大電流的續流麻豆国产一区或整流管。2、超快恢複麻豆国产一区SRD（Superfas
普通整流麻豆国产一区
整流麻豆国产一区是利用PN結的單向導電特性，把交流電變成脈動直流電，整流麻豆国产一区漏電流較大，多數采用麵接觸性料封裝的麻豆国产一区。整流麻豆国产一区的外形如圖1所示，另外，整流麻豆国产一区的參數除前麵介紹的幾個外，還有最大整流電流，是指整流麻豆国产一区長時間的工作所允許通過的最大電流值。它是整流麻豆国产一区的主要參數，是選項用整流麻豆国产一区的主要依據。
高頻整流麻豆国产一区1、快恢複麻豆国产一区FRD（Fast RecoveryDiode）
快恢複麻豆国产一区的內部結構與普通麻豆国产一区不同，它是在P型、N型矽材料中間增加了基區1，構成P-4-N矽片。由於基區很薄，反向恢複電荷根小，不僅大大減小了tr值，還降低了瞬態正向壓降，使管子能承受很高的反向工作電壓，快恢複麻豆国产一区的反向恢複時間一般為幾百納秒，正向電流是幾安增至幾千安培，反向解信電壓可達幾百到幾幹伏。同有開關特性好，反向恢複時間Tm短。正向電流大、體積小、安裝簡使等優點，可廣泛用於開關電源、脈寬調製器（PWM）、不間斷電源（UPS）、交流電動機變頻調速（VVVF）、高頻加熱等裝置中，作高頻、大電流的續流麻豆国产一区或整流管。
2、超快恢複麻豆国产一区SRD（SuperlastRecovery Diode）
在快恢複麻豆国产一区基礎上發展而成的，其反向恢複時間Trt比FRD更短，是極有發展前途的電力、電子半導體器件。
3.肖特基麻豆国产一区SBD（Schottky Barrier Diode）
是肖特基勢壘麻豆国产一区的簡稱。肖特基麻豆国产一区是利用金屬與半導體接觸形成的金屬·半導體結原理製作的。因此，肖特基麻豆国产一区也稱為金屬-半導體（接觸）麻豆国产一区或表麵勢壘麻豆国产一区，它是一種熱載流子麻豆国产一区。SBD的結構及特點使其適合於在低壓、大電流輸出場合用作高頻整流，在非常高的頻率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用於檢波和混頻，在高速邏輔電路中用作箱位。
肖特基麻豆国产一区的主要優點包括兩個方麵：
1）由於肖特基勢壘高度低於PN結勢壘高度，故其正向導通門限電壓和正向壓降都比PN結麻豆国产一区低（約低0.2V）。
2）由於肖特基麻豆国产一区是一種多數載流子導電器件，不存在少數載流子壽命和反向恢複問題。肖特基麻豆国产一区的反向恢複時間隻是肖特基勢壘電容的充、放電時間，完全不同於PN結麻豆国产一区的反向恢複時間。由於肖特基麻豆国产一区的反向恢複電荷非常少，故開關速度非常快，開關損耗也特別小。
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