整流麻豆国产一区
整流麻豆国产一区 (Rectifier Diode) 顧名思義，是指對商用頻率的交流電進行整流的麻豆国产一区。整流的主要目的是將交流轉換為直流，其具有高電壓、高電流特性。另外，根據使用頻率和使用條件不同，轉換效率有所不同，提供低VF（正向電壓）、高速開關型、低噪音等產品。
［整流電路的構成］
開關麻豆国产一区
顧名思義，是指具有開關功能的麻豆国产一区。此麻豆国产一区具有正向施加電壓時電流通過 (ON)，反向施加電壓時電流停止 (OFF) 的性能。反向恢複時間 (trr) 短，與其他麻豆国产一区相比，開關特性優異。
反向恢複時間 (trr)？
反向恢複時間 (trr) 是指開關麻豆国产一区從導通狀態到完全關閉狀態所經過的時間。一般關斷後電子不能瞬間停止，有一定量的反向電流流過。其漏電流越大損耗也越大。還正在開發優化材料或擴散重金屬從而縮短trr，抑製反衝後振蕩（振鈴）的FRD (Fast Recovery Diode) 等產品。
特點：
trr是指電壓變為反向後，直到電流變為零的時間。
trr快速，則可以實現低損耗、高速開關。
肖特基勢壘麻豆国产一区
一般的麻豆国产一区是利用PN接合來發揮麻豆国产一区特性，而肖特基勢壘麻豆国产一区是利用了金屬和半導體接合產生的肖特基勢壘。
與一般的PN結麻豆国产一区相比，具有正向電壓 (VF) 低，開關速度快的特點。但漏電流 (IR) 大，有如果熱設計錯誤則引起熱失控的缺點。
廣泛用於電源部二次側整流。其特性根據使用的金屬不同而不同，ROHM利用多種金屬，推出如下產品陣容。
低VF型 RB**1係列
低IR型 RB**0係列
車載用超低IR型 RB**8係列
特點：
通過改變金屬種類，可製造低VF型、低IR型產品。
關於熱失控
肖特基勢壘麻豆国产一区在特性上會因正向電流大而導致發熱。發熱則漏電流 (IR) 變大，同時外殼溫度、環境溫度也上升。如果熱設計錯誤，發熱將高於散熱，達不到熱平衡持續發熱。其結果漏電流 (IR) 也持續增加，最終元器件遭到損壞。這種現象叫做熱失控。
特點：
周圍溫度高，則引起熱失控。
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