麻豆国产一区
以矽（或鍺）作為基板，將摻雜了磷和砷的Negative 型半導體（電子不足，空穴較多）和摻雜了硼和镓的Positive 型半導體（電子多餘）結合在一起，就稱為麻豆国产一区（PN 結）。
麻豆国产一区具有單向導電性（單向導通），因此具備整流作用，即讓電流隻朝一個方向運動。
三極管
三極管也稱為雙極性晶體管，全稱叫做雙極性結型晶體管，縮寫為BJT，因為種具有三個終端，所以俗稱為三極管。將P型、N型半導體做成三明治狀從而形成NPN 結與PNP結，中間的那層稱為基級Base，兩側的稱為發射級Emitter或集電極Collector，即三極管，也稱為雙極性結型晶體管。
三極管具有如下3種工作狀態
截止狀態：當發射極電壓小於PN結導通電壓，基極電流為零，集電極和發射極的電流都為零，此時三極管失去了電流放大作用，集電極和發射極之間相當於開關的斷開狀態。
放大狀態：當發射極電壓大於PN結導通電壓，並處於某一恰當值時，三極管發射結正向偏置，集電結反向偏置，此時基極電流對集電極電流起著控製作用，使三極管具有電流放大作用（放大倍數 β=ΔIc/ΔIb）。
飽和導通：當發射極電壓大於PN結導通電壓，並當基極電流增大到一定程度時，集電極電流不再隨著基極電流的增大而增大，而是處於某個確定值的附近不再變化，此時三極管失去電流放大作用，集電極與發射極之間電壓很小，相當於開關的導通狀態。
晶閘管
晶閘管是晶體閘流管的簡稱，又被稱為可控矽整流器，泛指具有四層及以上交錯 PN層的半導體元件，具體可分為單向晶閘管、雙向晶閘管、可關斷晶閘管等種類。
晶閘管是一種開關元件，具有可控的單向導電性（與之相比，普通的麻豆国产一区隻是一個單向導電器件）。晶閘管具有以小電流或電壓控製大電流電壓的作用，廣泛用於無觸點開關、可控整流、逆變、調光、調壓、調速等。
晶閘管隻能工作在開關狀態，而場效應管既可以工作在開關狀態也可以工作在放大狀態。
場效應管
場效應管（FET）是一種通過電場效應控製電流的電子元件，也稱為單極性晶體管。它依靠電場去控製導電溝道形狀，能夠控製半導體材料中某種類型載流子的溝道導電性。
主要分為結型場效應管（junction FET，簡稱 JFET)和金屬-氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱 MOS-FET）兩種類型，可應用於放大、阻抗變換、可變電阻、電子開關。
場效應管是電壓控製元件，柵極基本不獲取電流；而普通晶體管是電流控製元件，基極必須獲取一定電流。
絕緣柵雙極晶體管
絕緣柵雙極晶體管（IGBT），由三極管BJT和場效應管MOS組成，是一種使用電壓驅動的功率半導體器件，具有自關斷特性，即功能類似於一個非通即斷的開關。IGBT不能放大電壓，導通時可視為導線，斷開時可視為開路。
三極管導通電阻小，但是驅動電流大；場效應管導通電阻大，但是驅動電流小；IGBT則結合兩者優點，不僅驅動電流小，導通電阻也較低。IGBT是能源轉換與傳輸的器件，主要用於電動車輛、鐵路動車組的交流電機輸出控製。采用IGBT進行功率轉換，可以提高用電效率和質量，更加高效節能。
IGBT和MOSFET都是目前半導工業比較主流的兩款功率器件。
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