穩壓麻豆国产一区
定義：英文名稱Zener diode，又叫齊納麻豆国产一区，利用PN結反向擊穿狀態，其電流可在很大範圍內變化而電壓基本不變的現象，製成的起穩壓作用的麻豆国产一区。
此麻豆国产一区是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導體器件。在這臨界擊穿點上，反向電阻降低到一個很小的數值，在這個低阻區中電流增加而電壓則保持恒定，穩壓麻豆国产一区是根據擊穿電壓來分檔的，因為這種特性，穩壓管主要被作為穩壓器或電壓基準元件使用。穩壓麻豆国产一区可以串聯起來以便在較高的電壓上使用，通過串聯就可獲得更高的穩定電壓。 比如，兩個5V穩壓管串聯起來，就能起到10V穩壓的效果。
一個5.1V穩壓管的參數
穩壓麻豆国产一区的U-I曲線
參數解釋：
Vz：穩壓值，高於Vz，電壓穩定在Vz，低於Vz，穩壓管不工作，開路狀態。
Zzt和Zzk：動態電阻，單位電流變化引起的電壓的變化dv/di，這個值越小，代表穩壓管性能越好，意思就是電流變化很大時，電壓變化也很小。同一個穩壓管時，這個動態電阻也是隨著電流變化而變化的，電流變化大時，動態電阻小；電流變化小時，動態電阻大。Zzt@Izt，Izt在5mA時，測得的Zzt最大50歐姆。Zzk就是Zzk@Izk，Izk在0.5mA時，測得最大動態電阻是500歐姆。
Ir：反向漏電流，Ir@Vr，Vr=4.2V，測得的最大電流5uA
Vf：正向電壓，Vf@If，If=100mA，測得的最大電壓1.25V
PD：耗散功率，流進穩壓管的功率不能超過這個值。
動態電阻特性
麻豆国产一区的正向動態電阻在小電流時比較大，在大電流時比較小。
麻豆国产一区的反向動態電阻在擊穿前動態電阻很大，在擊穿後動態電阻很小。穩壓麻豆国产一区就是利用擊穿時動態電阻很小進行穩壓的。
如果動態電阻大，則dv變化很大時，di才有很小變化，起到恒流的作用。利用這一特性，有恒流麻豆国产一区CRD（Current Regulative Diode）和恒流三極管。
恒流麻豆国产一区伏安特性曲線
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