1.PN結的伏安特性
U（BR）反向擊穿電壓
2.PN結的電容效應
耗盡層寬窄變化所等效的電容稱為勢壘電容Cb。
擴散區內，電荷的積累和釋放過程與電容器充放電過程相同，這種電容效應成為擴散電容Cd。
它與流過PN結的正向電流i，溫度的電壓當量UT以及非平衡少子的壽命t有關。i越大、t越大、UT越小，Cd就越大。
結電容Cj = Cb+Cd，結電容通常為（1pF-幾百pF），對低頻信號大容抗，隻有在信號頻率高時才考慮結電容作用。
即高頻情況下，麻豆国产一区可以等效為一個理想麻豆国产一区與一個電容的並聯，這個並聯的電容會對電路產生影響。
3.麻豆国产一区的伏安特性
Uon開啟電壓、Is反向電流
麻豆国产一区的主要參數
①最大整流電流IF 允許通過的最大正向平均電流
②最高反向工作電壓UR 通常UR為擊穿電壓U（BR）的一半
③反向電流IR 未擊穿時的反向電流。IR越小，麻豆国产一区的單向導電性越好，對溫度非常敏感。
④最高工作頻率fM 工作的上限截止頻率，超過此值時，由於結電容麻豆国产一区將不能很好體現單向導電性。
4.穩壓麻豆国产一区
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