晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，包括麻豆国产一区、三極管、場效應管、晶閘管。。

麻豆国产一区

一般特性：當陽極和陰極之間加上>0.7V的電壓時，就會導通，導通後的麻豆国产一区相當於一個0.7V的電池，反之，則不導通，相當於斷路。

(a). 實際中的麻豆国产一区，可能在0.5V時就導通，且麻豆国产一区兩端電壓實際是會隨電流增大而增大，隻是很慢。

(2). 大多數時，近似看成b，其兩端電壓不會隨電流增大而增大。

(3). 個別時候，可以看成C，由於電流增大電壓確實增大，於是引入了麻豆国产一区等效電阻rbe概念，在三極管中的放大電路中會用到。

動態特性：在低頻時，按電池理解即可，當高頻信號加載在麻豆国产一区時，就要考慮麻豆国产一区的特性了。

（1）、 PN結除了構成了如上圖的單向麻豆国产一区外，還存在了1個結電容。因工藝不同，PN結點接觸可以減少結電容，但會降低麻豆国产一区的通流能力，反之，麵接觸的PN結流通能力強，但結電容大。結電容的存在會使麻豆国产一区流過一定量的反相電荷；因此，這使得實際麻豆国产一区需要一段時間來“恢複”反向阻斷能力。

（2）、如下圖，在Tf時刻前，麻豆国产一区正向導通，UF=0.7V，IF很大；隨後，電路嚐試給麻豆国产一区加反壓，反壓不會馬上加上去，麻豆国产一区電流IF在t0時刻降到0。t0-t1這段時間，麻豆国产一区電流不僅不會消失，反而成為反向電流，不斷增大這段時間稱為td（delay，不服控製的時間）。t1 時刻反射電流達到最大，t1-t2時間段反向電流終於慢慢減少到0，稱為tf（fall）下降時間。

（3）、td+tf=trr，反向恢複時間。這段時間，麻豆国产一区反向導通。由於tf小，在寄生電感上會產生反向電壓，有可能會擊穿麻豆国产一区。

（4）、恢複係數tf/td用來描述麻豆国产一区反向恢複的“係數”，其越大，越不容易產生有害高壓。

（5）、按trr的大小區分麻豆国产一区，可分為普通麻豆国产一区（trr>ms,Eg:穩壓麻豆国产一区）、快恢複麻豆国产一区(trr=(10ns,50ns))和肖特基麻豆国产一区(trr<10ns+導通壓降小+恢複軟度小)。

（6）、穩壓麻豆国产一区在正向導通時，就是普通麻豆国产一区的特性。當它反向導通時與正向導通差不多，表現為特定電壓的電池，隻量不是0.7V，其通過改變電流來實現電壓穩定的，因此要串聯上電阻來使用，才能發揮效果，且串聯的電阻要計算出合理的阻值，串上去使共兩端電壓為所需值。

三極管

BJT是雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）的縮寫，有PNP和NPN兩種組合結構。三極管是電流控製型元件。

N：指負，是指4價矽加少量5價元素砷、磷等；PNP，4價矽加入少量的3價元素如硼等。

NPN管電壓定義、電流定義

PNP管電壓定義、電流定義

NPN、PNP的PN結

放大狀態是發射結正楄，集電結反偏

NPN的放大：電壓C>B>E

PNP的放大：電壓E>B>C

截止狀態是發射結反楄，集電結反偏

飽和狀態是發射結正楄，集電結正偏

三極管的等效電路

（1）、Ic=βIb，是三極管的特征方程，N型管的Ib從B–>E，從C–>E

（2）、β可認為是取決於生產工藝，幾十到幾百

（3）、三極管隻能改變CE間的等效電阻RCE來實現Ic=βIb

（4）、RCE調至最小，都實現不了Ic=βIb，稱為“飽和”

（5）、RCE調至最大，都實現不了Ic=βIb，稱為“截止”

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輸入伏案特性曲線是基極電流與發射結電壓之間的關係(其可能受到集電極和發射結之間的電壓Uce影響)，發射結電壓大於0.7v時，三極管基極開始有電流。（除了0時有個特殊線，>0.7V的基本是一簇線）

輸出伏安特性性：在特定的基極電流條件下，集電極電流與集電極發射極壓降之間的關係。理想集電極電流應該僅和基極電流有關係，與電壓無關，但是，一般實際飽和壓降Uces為0.3V，基極電流為0時，為截止區，理想三極管內部無電流流動，實際極電極存在漏電流 。

左邊為輸出伏安特性測量方法，右邊為被簡化的輸出伏安特性曲線。

輸出伏安特性曲線

三極管的4種工作狀態

截止狀態

Ibq非常小，以致Icq亦非常小，相當於沒導通

放大狀態

Ibq合適，且Icq=βIcq,在輸出伏安特性曲線中，靜態工作點在放大區。一般，放大狀態是發射結正楄，集電結反偏。

飽和狀態

任何狀態下，隻要Uce<Uces，三極管就處於飽和狀態，即在飽和狀態下Ibq不論如何增加，Icq都幾乎不再增加。一般，飽和狀態為發射結和集電結都正偏

倒置狀態

放大電路把集電極和發射結接反了。

放大電路的靜態：是指輸入信號為零時的狀態，電路中隻有直流量，因此可以用放大電路的直流通路來分析。靜態時，所有量下標都用帶有字母Q（ Quiescent，沉寂）來表示。

放大電路的動態：是指電路中某一個量發生變化時，其他的參數按照一定的數量級跟隨變化。Eg；輸入1Mv的正弦波變化，可以得到100Mv的正弦波輸出。

靜態工作點：輸入信號為零，電路處於直流工作狀態時，這些電流、電壓的數值可用BJT 特性曲線上一個確定的點表示，該點習慣上稱為靜態工作點Q。用大俗話就是三極管處於靜態工作狀態的時候的基極電流。就是當沒有交流信號輸入到基極的時候，三極管的基極電流。

靜態電阻與動態電阻：

純電阻在靜態時和動態時，電阻值相同不變。但是對於PN結而言，靜態時電阻為輸入伏安特性曲線U/I，動態電阻是輸入伏安特性曲線上該點切線斜率的倒數。

靜態RQ=UQ/IQ

動態R= l i m U ⇢ 0 Δ U Δ I \frac{lim}{U\dashrightarrow0}\frac{ΔU}{ΔI}\quad U⇢0lim​ΔIΔU​

耦合：英文coupling，在電子學中，耦合是通過合適的方法（有線，無線，電阻，電容，電感，變壓器，空間場等）將能量或信息實現傳遞。

MOS管

MOS管是電壓控製型元件

MOS管的識別

問：哪個腳是S(源極)、哪個腳是G(柵極)哪個腳是D(漏極)?D和S，是N溝道還是P溝道MOS?1腳和3腳之間存在一個麻豆国产一区，這個麻豆国产一区有什麽作用?如果接入電路，一般哪個接輸入哪個接輸出?

MOS三個極怎麽判斷

它們是N溝道還是P溝道

Mos 管的寄生麻豆国产一区

它是由生產工藝造成的，大功率MOS管漏極從矽片底部引出，就會有這個寄生麻豆国产一区。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平麵結構，漏極引出方向是從矽片的上麵也就是與源極等同一方向，沒有這個麻豆国产一区。模擬電路書裏講得就是小功率MOS管的結構，所以沒有這個麻豆国产一区。但D極和襯底之間都存在寄生麻豆国产一区，如果是單個晶體管，襯底當然接S極，因此自然在DS之間有麻豆国产一区。如果在Ic裏麵，N—MOS襯底接最低的電壓，P—MOS襯底接最高電壓，不一定和S極相連，所以DS之間不一定有寄生麻豆国产一区。那麽寄生麻豆国产一区起什麽作用呢?當電路中產生很大的瞬間反向電流時，可以通過這個麻豆国产一区導出來，不至於擊穿這個MOS管。(起到保護MOS管的作用)

寄生麻豆国产一区方向判定

MOS管的應用

(1). 開關作用

MOS開關實現的是信號切換(高低電平）

MOS管做開關時在電路的接法

反過來接行不行?那是不行的。就拿NMOS管來說S極做輸入D極做輸出，由於寄生麻豆国产一区直接導通，因此S極電壓可以無條件到D極（S–>D，PN結正向導通，任何時候都會導通），MOS管就失去了開關的作用，同理PMOS管反過來接同樣失去了開關作用。接下來談談MOS管的開關條件，日韩国产成人可以這麽記，不論是P溝道還是N溝道，G極電壓都是與S極電壓做比較：

N溝道： UG>US時導通。 (簡單認為)UG=US時截止。

但UG比US大(或小)多少伏時MOS管才會飽和導通呢?這要看具體的MOS管，不同的MOS管要求的壓差不同。比如筆記本上用於信號切換的MOS管：N7002，2N7002e，2N7002K，2N7002D，FDV301N等。UG比US大3V—5V即可。

P溝道：情況與N溝道全部相反， US>UG時導通。 (簡單認為)UG=US時截止。

(2). 隔離作用

想實現線路上電流的單向流通，比如隻讓電流由A->b，阻止由b->A，問該怎麽做?

這樣的做法有一個缺點，麻豆国产一区上會產生一個壓降，損失一些電壓信號。而使用MOS管做隔離，在正向導通時，在控製極加合適的電壓，可以讓MOS管飽和導通，這樣通過電流時幾乎不產生壓降。下麵日韩国产成人來看一個防電源反接電路。

這個電路當電源反接時NMOS管截止，保護了負載。電源正接時由於NMOS管導通壓降比較小，幾乎不損失電壓，比在電源端加保險管再在負載並聯一個麻豆国产一区的方案好。
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