一、 一句話MOS管工作原理
NMOS的特性，Vgs大於一定的值就會導通，適合用於源極接地時的情況(低端驅動)，隻要柵極電壓達到一定電壓（如4V或10V, 其他電壓，看手冊）就可以了。
PMOS的特性，Vgs小於一定的值就會導通，適合用於源極接VCC時的情況(高端驅動)。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動，但由於導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅動中，通常還是使用NMOS。
二、
在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但並不是優秀的，作為正式的產品設計也是不允許的。
1，MOS管種類和結構
MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被製造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的隻有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。
至於為什麽不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。
對於這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易製造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。下麵的介紹中，也多以NMOS為主。
MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是日韩国产成人需要的，而是由於製造工藝限製產生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，後邊再詳細介紹。
在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生麻豆国产一区。這個叫體麻豆国产一区，在驅動感性負載（如馬達、繼電器），這個麻豆国产一区很重要，用於保護回路。順便說一句，體麻豆国产一区隻在單個的MOS管中存在，在集成電路芯片內部通常是沒有的。
2，MOS開關管損失
不管是NMOS還是PMOS，導通後都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。
MOS在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關損失。通常開關損失比導通損失大得多，而且開關頻率越快，損失也越大。
導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。縮短開關時間，可以減小每次導通時的損失；降低開關頻率，可以減小單位時間內的開關次數。這兩種辦法都可以減小開關損失。
3，MOS管驅動
跟雙極性晶體管相比，一般認為使MOS管導通不需要電流，隻要GS電壓高於一定的值，就可以了。這個很容易做到，但是，日韩国产成人還需要速度。
在MOS管的結構中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設計MOS管驅動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。
第二注意的是，普遍用於高端驅動的NMOS，導通時需要是柵極電壓大於源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個係統裏，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達驅動器都集成了電荷泵，要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動MOS管。
上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導通電壓，設計時當然需要有一定的餘量。而且電壓越高，導通速度越快，導通電阻也越小。現在也有導通電壓更小的MOS管用在不同的領域裏，但在12V汽車電子係統裏，一般4V導通就夠用了。
MOS管的驅動電路及其損失，可以參考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。講述得很詳細，所以不打算多寫了。
5，MOS管應用電路
MOS管最顯著的特性是開關特性好，所以被廣泛應用在需要電子開關的電路中，常見的如開關電源和馬達驅動，也有照明調光。
參數含義：
Rds(on)：DS的導通電阻.當Vgs=10V時，MOS的DS之間的電阻
Id： 最大DS電流.會隨溫度的升高而降低
Vgs: 最大GS電壓.一般為：-20V~+20V
Idm: 最大脈衝DS電流.會隨溫度的升高而降低，體現一個抗衝擊能力，跟脈衝時間也有關係
Pd: 最大耗散功率
Tj: 最大工作結溫，通常為150度和175度
Tstg: 最大存儲溫度
Iar: 雪崩電流
Ear: 重複雪崩擊穿能量
Eas: 單次脈衝雪崩擊穿能量
BVdss： DS擊穿電壓
Idss: 飽和DS電流，uA級的電流
Igss: GS驅動電流，nA級的電流.
gfs: 跨導
Qg: G總充電電量
Qgs: GS充電電量
Qgd: GD充電電量
Td(on): 導通延遲時間，從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時間
Tr: 上升時間，輸出電壓 VDS 從 90% 下降到其幅值 10% 的時間
Td(off): 關斷延遲時間，輸入電壓下降到 90% 開始到 VDS 上升到其關斷電壓時 10% 的時間
Tf: 下降時間，輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 90% 的時間 ( 參考圖 4) 。
Ciss: 輸入電容，Ciss=Cgd + Cgs.
Coss: 輸出電容，Coss=Cds +Cgd.
Crss: 反向傳輸電容，Crss=Cgc.
總結：
N溝道的電源一般接在D，輸出S，P溝道的電源一般接在S，輸出D。
增強耗盡接法基本一樣。
P是指P溝道,N是指N溝道。
G：gate 柵極
S：source 源極
D：drain 漏極
以RJK0822SPN的POWER MOS為例：
Drain to source voltage:VDSS漏源極電壓80V
Gate to source voltage：VGSS ±20 門源電壓這三種應用在各個領域都有詳細的介紹，這裏暫時不多寫了。以後有時間再總結。
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