NMOS（Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor，N型金屬氧化物半導體）。
在一塊摻雜濃度較低的P型矽襯底（提供大量可以動空穴）上，製作兩個高摻雜濃度的N+區(N+區域中有大量為電流流動提供自由電子的電子源)，並用金屬鋁引出兩個電極，分別作漏極D和源極S。
然後在半導體表麵覆蓋一層很薄的二氧化矽(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極（通常是多晶矽），作為柵極G。
在襯底上也引出一個電極B，這就構成了一個N溝道增強型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數管子在出廠前已連接好) 。
PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管。全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor。
P溝道矽MOS場效應晶體管在N型矽襯底上有兩個P+區，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時，柵極下的N型矽表麵呈現P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。
改變柵壓可以改變溝道中的空穴密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應晶體管稱為P溝道增強型場效應晶體管。
如果N型矽襯底表麵不加柵壓就已存在P型反型層溝道，加上適當的偏壓，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應晶體管稱為P溝道耗盡型場效應晶體管。統稱為PMOS晶體管。
在電路中常見到使用MOS FET場效應管作為開關管使用。如下圖：
如圖1所示，使用了P溝道的內置麻豆国产一区的電路，此處麻豆国产一区的主要作用是續流作用，電路是鋰電池充放電電路，當外部電源斷開時采用鋰電池進行內部供電，即+5V電源斷開後Q1的G極為低電平，S極和D極導通，為係統供電。
圖中D2和D3的一方麵是降壓的作用，使5V降為4V（D2為鍺管壓降為0.2V，D3矽管壓降為0.7V）。
圖2 工作原理同圖1，也使用了內置續流麻豆国产一区的P溝道CMOS FET。
圖3使用了內置續流麻豆国产一区的N溝道的CMOS FET。
此電路是應用於開關時序的，當3.3V_SB為低電平時Q18、Q19不導通，5V時鍾數據轉3.3V時鍾數據不導通；當3.3V_SB為高電平時5V時鍾數據轉3.3V時鍾數據。
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