在大功率全固態廣播發射機的射頻功率放大器中，利用MOS管的開關特性，可使整個射頻功率放大器工作在開關狀態，從而提高整機效率，改善技術性能，同時使發射機的射頻功率放大器處於低電壓範圍，有利於設備的穩定運行。
MOS管的開關特性
MOS管是金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的簡稱，或稱為MOS管，它是有別於結型場效應管的絕緣柵型場效應管。
絕緣柵場效應管分為兩種類型：一種是耗盡型場效應管，一種是增強型場效應管。場效應管一般有三個電極，即柵極(G)、漏極(D)和源極(S)。
若其柵源電壓為VGS，則當VGS≤0時，就可能產生漏源電流ID的絕緣柵場效應管，即為耗盡型場效應管。而在VGS≥0的情況下才能產生漏源電流ID的絕緣柵場效應管為增強型場效應管。
一般使用的射頻功率場效應管都是增強型MOS管，因而隻需提供正向偏壓即可使器件工作。
D類MOS管在射頻功放中的應用
現以韋爾半導體研發的數字化調幅(DIGITAL AMPLITUDE MODULATION)發射機為例，來說明D類MOS管在射頻功放中的應用。
數字調幅就是將控製載波電平和音頻調製的模擬信號首先轉換成數字信號，再經過編碼變成控製射頻功放模塊開通和關斷的控製信號，通過控製相應數目的射頻功放模塊的開通或者關斷數量來實現調幅。
DAM發射機取消了傳統的高電平音頻功放，而且所有的射頻功率放大器均工作於D類開關狀態。
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