麻豆国产一区反向擊穿電壓一般是工作電壓2-3倍。
麻豆国产一区反向擊穿時的電壓值。擊穿時反向電流劇增，麻豆国产一区的單向導電性被破壞，甚至過熱而燒壞。手冊上給出的最高反向工作電壓VBWM一般是VBR的一半。
反向擊穿電壓
外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為麻豆国产一区反向擊穿電壓。電擊穿時麻豆国产一区失去單向導電性。
如果麻豆国产一区沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被永久破壞，在撤除外加電壓後，其性能仍可恢複，否則麻豆国产一区就損壞了。因而使用時應避免麻豆国产一区外加的反向電壓過高。
PN結麻豆国产一区的反向擊穿
產生環境
反向擊穿的現象發生在很多情況下麵，比如麻豆国产一区，三極管等等。
以麻豆国产一区為例：麻豆国产一区是正向導通的，麻豆国产一区兩端加反向電壓時，電子不能通過麻豆国产一区，使得麻豆国产一区相當於斷路，但是這個斷路取決於把麻豆国产一区反向接時，麻豆国产一区兩端的電壓（即反向電壓），如果這個反向電壓足夠大，麻豆国产一区就被擊穿了（你可以認為變成導線了），此時這個擊穿的反向電壓就叫反向擊穿電壓。
也可以從字麵做感性的理解：反向擊穿，反向，即為方向相反，就是說反著接。
擊穿，你可以認為原來這是一堵牆，是一條死胡同，不讓人通過，擊穿了所有人就能通過了（聯想一下電流），亦可以理解為高低河岸流而不能倒流，除非有超過河床高度的水流通過。
以下給出麻豆国产一区反向擊穿電壓的理性定義：外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為麻豆国产一区反向擊穿電壓。電擊穿時麻豆国产一区失去單向導電性。
如果麻豆国产一区沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被永久破壞，在撤除外加電壓後，其性能仍可恢複，否則麻豆国产一区就損壞了。因而使用時應避免麻豆国产一区外加的反向電壓過高。
快恢複麻豆国产一区的反向恢複特性
麻豆国产一区的反向特性。在電子電路中，麻豆国产一区的正極接在低電位端，負極接在高電位端，此時麻豆国产一区中幾乎沒有電流流過，此時麻豆国产一区處於截止狀態，這種連接方式，稱為反向偏置。
麻豆国产一区處於反向偏置時，仍然會有微弱的反向電流流過麻豆国产一区，稱為漏電流。當普通麻豆国产一区兩端的反向電壓增大到某一數值，反向電流會急劇增大，麻豆国产一区將失去單方向導電特性，麻豆国产一区會反向熱擊穿而損壞。
快恢複麻豆国产一区的反向恢複特性決定著功率變換器的性能，在雙極功率晶體管的電流下降時間大於1us(開通時間約100ns)時期，麻豆国产一区的反向恢複在雙極功率晶體管的開通過程中完成，而且雙極功率晶體管達到額定集電極電流的1/2-2/3左右後隨著Ic上升Hfe急劇下降，限製了麻豆国产一区的反向恢複電流的峰值，在某種意義上，也限製了di/dt，雙極功率晶體管的開通過程掩蓋了麻豆国产一区的反向恢複特性，因而對麻豆国产一区的反向恢複僅僅是反向恢複時間提出要求。
隨著功率半導體器件的開關速度提高，特別是Power MOSFET、高速IGBT的出現，不僅開通速度快(可以在數十納秒內將MOSFET徹底導通或關斷)，而且在額定驅動條件下，其漏極/集電極電流可以達到額定值的5-10倍，使MOS或IGBT在開通過程中產生高的反向恢複峰值電流IRRM，同時MOS或IGBT在開通過程結束後麻豆国产一区的反向恢複過程仍然存在，使麻豆国产一区的反向恢複特性完全暴露出來，高的IRRM、di/dt使開關管和快速麻豆国产一区本身受到高峰值電流衝擊並產生較高的EMT。
因而對麻豆国产一区的反向恢複特性不僅僅限於反向恢複時間短，而且要求反向恢複電流峰值盡可能低，反向恢複電流的下降，上升的速率盡可能低，即超快、超軟以降低開關過程中反向恢複電流對開關電流的衝擊，減小開關過程的EMI。
當快恢複麻豆国产一区正向導通電流時，將從陽極和陰極注入大量載流子，並在基區以少數載流子的形式儲存電荷，即從陽極注入的空穴以少子的形式在基區存儲電荷。
但當電路中導通的快恢複麻豆国产一区因外加反向電壓使其換向時，要實現快恢複麻豆国产一区的“斷態”，必須把快恢複麻豆国产一区導通時在基區儲存的大量少數戴流子完全抽出或者中和掉，這就需要一定時間才能使快恢複麻豆国产一区恢複反向阻斷能力，這時間就定為快恢複麻豆国产一区的反向恢複時間trr。
如圖1所示，由圖可見，快恢複麻豆国产一区的主要關斷特性參數為：反向恢複時間trr，反向峰值電流IRRM，反向恢複電荷Qrr以及反向電流衰減率（dirr/dt），圖亦顯示了快恢複麻豆国产一区從正向導通到反向恢複的全過程，圖中，反向恢複時間trr=ta+tb，ta表示少數戴流子的存儲時間，而tb表示少數戴流子的複合時間；
而且trr應盡量短，這就是超快恢複的要求，且ta應盡量小於tb，ta期間快恢複麻豆国产一区還沒有恢複反向阻斷能力，器件加不了反向電壓，而tb期間，反向阻斷能力開始恢複，這段時間內反向電流恢複率（dirr/dt）連同電路中的寄生電感將產生過電壓尖峰和高頻幹擾電壓，dirr/dt越高（即硬恢複）對快恢複麻豆国产一区本身和與其並聯的開關器件所作用的附加電應力就越大，有時甚至使開關器件損壞，必須引起注意。
而緩慢的反向電流恢複率dirr/dt（即軟恢複）是最合乎需要的特性曲線，通常用軟度因子S=tb/ta來表示器件的反向恢複曲線的軟度，因此，選用反向恢複時間trr短，反向峰值電流IRM小，反向恢複電荷Qrr小以及反向恢複特性軟的FRED管是逆變電路中最合適的，同時也可降低逆變電路中快恢複麻豆国产一区和開關器件的功耗。
圖1 FRED導通和關斷期間的電流、電壓波形圖
電話：18923864027（同微信）
QQ：709211280
〈烜芯微/XXW〉專業製造麻豆国产一区，三極管，MOS管，橋堆等，20年，工廠直銷省20%，上萬家電路電器生產企業選用，專業的工程師幫您穩定好每一批產品，如果您有遇到什麽需要幫助解決的,可以直接聯係下方的聯係號碼或加QQ/微信，由日韩国产成人的銷售經理給您精準的報價以及產品介紹