MOS管代替麻豆国产一区防反接電路
MOS管防反接電路其功能和麻豆国产一区防反接電路一樣，其目的都是防止電源的正負輸入端接反而導致負載電路燒毀等意外情況發生。
MOS管防反接電路相比麻豆国产一区防反接電路最大的優勢是幾乎零壓降，麻豆国产一区的壓降一般都0.5V~1V左右，但是MOS管就不一樣了，MOS管的內阻很小，小的隻有幾mΩ。
假如5mΩ的內阻，經過1A的電流壓降隻有5mV，10A電流壓降也才50mV。
其缺點是成本高、電路略複雜。麻豆国产一区防反接其電路設計簡單，隻需串聯一個麻豆国产一区即可，成本也低，缺點是壓降大，即使幾十mA的小電流麻豆国产一区的壓降也有0.4V~0.6V左右，使用MOS管其壓降能做到1mV以下，相差好幾個數量級。
代替電源正極串聯麻豆国产一区的設計方法
如下圖左側為常見的電源正輸入端正向串聯一個麻豆国产一区用於防止電源反接，這是利用麻豆国产一区的單向導通特性（正向導通，反向截止）。
圖右側為相應的MOS管防反接電路設計，采用P溝道的MOS管（P-MOS管）代替麻豆国产一区。請注意P-MOS管D極和S極的方向，接錯起不到防反作用。
防反接原理分析：當電源正負極輸入正常時，電源正極經過MOS管Q1後正電壓通過寄生麻豆国产一区D1從漏極（D）流向源極（S），此瞬間電路板有有相應電源，隻是有麻豆国产一区壓降約0.7V，控製極G極串聯電阻後接到電源負極。
G極和S極之間有相應的壓差，VGS=-（VCC-0.7）,P-MOS管導通，電流從MOS管流過，壓降減小。
也就是說，上電瞬間，電流先從寄生麻豆国产一区D1流過，此時壓降較大，電流經過P-MOS管的S極之後，P-MOS管導通，電流從MOS管經過，壓降變小。
當電源正負極反接時，P-MOS管的G極為正電壓，MOS管截止，其寄生麻豆国产一区D1也截止，S極也為正電壓，無法觸發P-MOS管導通，因此起到防反接作用。
代替電源負極串聯麻豆国产一区的設計方法
如下圖左側為電壓負輸入端串聯麻豆国产一区的防反接電路，正電壓從電路板經過麻豆国产一区，麻豆国产一区導通，當電源正負極接反時，麻豆国产一区截止。
圖右側為相應的使用MOS管設計的原理，采用N-MOS管進行設計，請注意N-MOS管D極和S極的方向，接錯起不到防反作用。
防反原理分析：當電源正負極輸入正常時，N-MOS管的控製極G為正電壓，接通瞬間，電路板負極電流從寄生麻豆国产一区D1流向電源負極，此時若電壓滿足要求，電路板是可以正常工作的，隻是有約0.7V的壓降。
當負極電流流向電源負極之後，N-MOS管的S極為低電平（電壓約0.7V），VGS=VCC-0.7V，MOS管導通，壓降變小。
其工作原理也是，剛開始MOS管截止，電流走寄生麻豆国产一区，之後S極變低電平觸發MOS管導通，電流走MOS管。
總結：N溝道和P溝道MOS管都可以設計防反接電路，但是其設計方法不同，一個是接在電源正輸入端，一個是接在電源負輸入端。
使用MOS管作為防反接電路設計，一般使MOS管工作在飽和區，內阻小，管子內耗也小。
因此，一般應用在輸入電源較大的場合，一般5V以上，具體要看管子飽和時的控製電壓，不同管子其飽和時控製電壓不同，一般5V~10V。
比如3.3V電源係統就不適合使用MOS管作為防反接電路設計了，因為觸發電壓隻有3.3V-0.7V=2.6V，無法觸發MOS管導通。
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