MOS管反向麻豆国产一区作用
MOS管電路圖中的反向麻豆国产一区什麽作用？
如圖所示，P-Base與Source電極相連。反向電流可以從Source流入P-Base，通過PN結（P-Base/N-Dift）流入Drain。
這個PN結就是MOSFET中的Body diode。其作用是導通電感負載傳導來的反向電流（ H-bridge，half bridge or many other bridges）。
值得注意的是，當P-Base與Source電極相連可以阻止parasitic NPN transistor的形成（N+／P-Base／N-Drift），使MOSFET工作在可控的狀態。
Body diode的作用在很多情況下相當於Freewheeling diode(反向麻豆国产一区),具體的應用限製則根據MOSFET的結構設計而有所不同 (maximum current rating, maximum blocking voltage, reverse recovery behavior)。
下圖是麻豆国产一区開關特性
p-channel MOSFET:
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