電源IC損耗計算
電源IC的功率損耗計算示例（內置MOSFET的同步整流型IC）
圖中給出了從“電源IC的損耗”這個角度考慮時相關的部分。本次以輸出段的MOSFET內置型IC為例進行說明。
相關內容見圖中藍色所示部分。電感除外（因為電感是外置的）。如果計算此前的說明中使用的控製器型IC的損耗的話，是不包括MOSFET和電感損耗的。
要計算損耗時，需要有單獨計算時公式各項相應的值。原則上使用技術規格書中給出的值。
一般情況下，技術規格書的標準值（即IC參數的值）中，包括最小值、典型值、最大值。有些參數隻有最小值或最大值，或隻有典型值，並非所有的參數都具備這三種值。
關於應該使用這些值的哪個值，可能會有不同的看法，但我認為應該考慮到值的變化/波動，計算最差條件下的損耗。
此次將使用右側給出的值。這些均是以最差條件為前提的值。計算步驟是先按照每種損耗的公式計算各自的損耗，然後再將損耗結果相加。
在本示例中，電源IC的功率損耗約為1W。隻要用於計算的數據完整，功率損耗計算並不難。
關鍵要點：
1.電源IC的功率損耗是單個損耗的總和。
2.關於計算所用的值，雖然有很多種看法，但應該通過計算最差條件下的損耗進行確認。
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