可控矽開關原理
可控矽開關又叫晶閘管，是晶體閘流管（Thyristor）的簡稱，故稱可控矽，它是一種大功率開關型半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。
可控矽開關也即是俗稱無觸點開關丶用雙向可控矽丶或者單向可控矽為開關器件，具有開關速度快丶帶負載能力強，功耗小，無噪聲等特點。廣泛應用於各種自動化控製電路中。
可控矽開關的工作原理如下：
（1）導通
柵極懸空時，BG1和BG2截止，沒有電流流過負載電阻RL。
柵極輸入一個正脈衝電壓（注入觸發電流Ig）時，BG2導通，VCE（BG2）下降，VBE（BG1）升高。
正反饋過程：
Ig↑→Ic2↑→Ia↑→Ic1↑→Ig↑ 使BG1和BG2進入飽和導通狀態。
電路很快從截止狀態進入導通狀態。
由於正反饋的作用柵極Ig沒有觸發將保持導通狀態不變。
（2）截止
陽極—陰極加上反向電壓
BG1和BG2截止。
加大負載電阻RL使電流減少BG1和BG2的基電流也將減少。
當減少到某一個值時由於電路的正反饋作用，電路翻轉為截止狀態。
這個電流為維持電流IH
可控矽開關的分類
按關斷、導通及控製方式分類
可控矽按其關斷、導通及控製方式可分為普通可控矽、雙向可控矽、逆導可控矽、門極關斷可控矽（GTO）、BTG可控矽、溫控可控矽和光控可控矽等多種。
按引腳和極性分類
可控矽按其引腳和極性可分為二極可控矽、三極可控矽和四極可控矽。
按封裝形式分類
可控矽按其封裝形式可分為金屬封裝可控矽、塑封可控矽和陶瓷封裝可控矽三種類型。其中，金屬封裝可控矽又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控矽又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。
按電流容量分類
可控矽按電流容量可分為大功率可控矽、中功率可控矽和小功率可控矽三種。通常，大功率可控矽多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控矽則多采用塑封或陶瓷封裝。
按關斷速度分類
可控矽按其關斷速度可分為普通可控矽和高頻（快速）可控矽。
可控矽開關應用
可控矽是可控矽整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。
實際上，可控矽的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等。
可控矽和其它半導體器件一樣，其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業、農業、交通運輸、軍事科研以至商業、民用電器等方麵爭相采用的元件。
可控矽器件是一種非常重要的功率器件，可用來作高電壓和高電流的控製。可控矽器件主要用在開關方麵，使器件從關閉或是阻斷的狀態轉換為開啟或是導通的狀態，反之亦然。
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