電荷泵自製MOS管驅動
電機驅動電路中,通常采用MOS作為驅動單元,而MOS管為電壓驅動器件,需要5V-10V的驅動電壓才可以開啟,一般的控製電路為3V-5V工作電壓,直接連接無法驅動MOS管正常工作,或者由於導通電阻過大,MOS管發熱嚴重。
另一方麵,由於PMOS導通電阻大,價格貴,替換種類少等原因,在高端驅動方式也,通常還是用NMOS,這樣就要求門極驅動電壓在驅動電壓的基礎上再增加5-10V,也就是說,如果驅動負載的電源為12V,高端驅動MOS管門極就需要17-22V的驅動電壓,這樣就比較麻煩了。
市麵上現有的MOS管門極驅動芯片大多比較貴,種類也很少,而且電路也比較複雜,而如果日韩国产成人可以提供一個22V的電源,用開關來控製這個電源何時加載到MOS管門極上,就可以自製MOS管門極驅動電路了,從而可以使用普通的單片機來控製大電流設備,現在來說,就差一個驅動電源了。
一般的單片機小係統提供的電源通常是3.3V或者5V,如果采用升壓的方式來獲得高電壓,可用的方式基本就是DCDC變換了,日韩国产成人隻是驅動幾個MOS管,電流極小,DCDC變換的效率就很低了,而且引入了電磁幹擾,對係統的穩定性打了折扣,同時此方案的成本也會提高不少;
另一種方案就是本文講的電荷泵,隻需要幾個電容和麻豆国产一区,就可以得到自己想要的電壓,很方便,而且電流越小,效率越高,對於日韩国产成人驅動MOS管足夠了。
原理圖如下:


這個方案使用MCU的電源,電壓3.3V,P1和-P1為兩個相位相差180度的方波信號,這個電路最終可以在輸出端得到12-16V穩定的直流電,而且P1頻率在器件特性內頻率越高,輸出紋波越小,如果需要更高的電壓就可以參考增加更多的單元,每增加一個單元,電壓提高3V左右。
以上就是電荷泵自製MOS管高壓驅動電源的詳細圖文。
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