dv/dt失效是MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現象。
dv/dt是單位時間內的電壓變化量，vDS的上升坡度越陡，越容易發生MOSFET的dv/dt失效問題。
一般來說，反向恢複特性越差，dv/dt的坡度越陡，越容易產生MOSFET的dv/dt失效。
什麽是dv/dt失效
如下圖（2）所示，dv/dt失效是由於MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的瞬態充電電流流過基極電阻RB，導致寄生雙極晶體管的基極和發射極之間產生電位差vBE，使寄生雙極晶體管導通，引起短路並造成失效的現象。
通常，dv/dt越大（越陡），vBE的電位差就越大，寄生雙極晶體管越容易導通，從而越容易發生失效問題。
MOSFET的dv/dt失效電流路徑示意圖（藍色部分）
此外，在逆變器電路或Totem-Pole PFC等上下橋結構的電路中，反向恢複電流Irr會流過MOSFET。受該反向恢複電流影響的dv/dt，可能會使寄生雙極晶體管誤導通，這一點需要注意。
dv/dt失效與反向恢複特性之間的關係可以通過雙脈衝測試來確認。
雙脈衝測試的電路簡圖如下：
雙脈衝測試的電路簡圖
dv/dt和反向恢複電流的仿真結果如下圖所示。設MOSFET①～③的柵極電阻RG和電源電壓vDD等電路條件相同，僅反向恢複特性不同。
圖中列出了Q1從續流工作轉換到反向恢複工作時的漏源電壓vDS和漏極電流（內部麻豆国产一区電流）ID。
雙脈衝測試的仿真結果
一般情況下，與MOSFET①相比，MOSFET③可以說是“反向恢複特性較差（Irr和trr大）”的產品。從這個仿真結果可以看出，反向恢複特性越差，dv/dt的坡度就越陡峭。
這一點通過流經電容器的瞬態電流通常用I=C×dv/dt來表示也可以理解。此外，在上述仿真中，Irr的斜率（di/dt）均設置為相同條件，但當di/dt陡峭時，dv/dt也會變陡峭。
綜上所述，可以說，在橋式電路中使用MOSFET時，反向恢複特性越差的MOSFET，發生MOSFET的dv/dt失效風險越大。
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