傳輸門是由外部施加的邏輯電平控製的NMOS和PMOS晶體管組成的雙向開關。
傳輸門
將PMOS和NMOS器件並聯連接在一起日韩国产成人可以創建一個基本的雙邊CMOS開關，通常稱為“傳輸門”。注意，傳輸門與傳統的CMOS邏輯門完全不同，因為傳輸門是對稱的，或雙邊的，即輸入和輸出是可互換的。
這個雙邊操作顯示在下麵的傳輸門符號中，它顯示了兩個指向相反方向的疊加三角形，表示兩個信號方向。
CMOS傳輸門
兩個MOS晶體管與NMOS和PMOS的柵極之間使用的反相器並聯連接，以提供兩個互補的控製電壓。當輸入控製信號V C 為低電平時，NMOS和PMOS晶體管都截止，開關打開。當V C 為高電平時，兩個器件都被偏置為導通，開關閉合。
因此當V C <時，傳輸門充當“閉合”開關/ sub> = 1，而當V C = 0作為電壓控製開關工作時，門用作“開路”開關。指示PMOS FET柵極的符號氣泡。
傳輸門布爾表達式
與傳統邏輯門一樣，日韩国产成人可以使用真值來定義傳輸門的操作表和布爾表達式如下。
傳輸門真值表
從上麵的真值表日韩国产成人可以看出，B處的輸出不僅依賴於輸入A的邏輯電平，還依賴於存在的邏輯電平。控製輸入。
因此，B的邏輯電平值被定義為A AND Control，它給出了傳輸門的布爾表達式：
B = A.Control
由於傳輸門的布爾表達式包含邏輯AND功能，因此可以使用標準的2輸入AND門實現此操作，其中一個輸入是數據輸入，而另一個是控製輸入，如圖所示。
和門實現
關於傳輸門，單個NMOS或其他兩個要考慮的問題單個PMOS本身可以用作CMOS開關，但兩個晶體管並聯的組合具有一些優點。 FET溝道是電阻性的，因此兩個晶體管的導通電阻有效地並聯連接。
作為FET導通電阻是柵極 - 源極電壓的函數，V GS ，當一個晶體管由於柵極驅動而變得較不導通時，另一個晶體管接管並變得更導通。因此，兩個導通電阻（低至2或3Ω）的組合值與單個開關晶體管本身的情況相比或多或少保持不變。
傳輸門導通電阻
小結
連接P溝道FET（PMOS）和N溝道FET（NMOS），日韩国产成人可以創建一個固態開關，使用邏輯電平電壓進行數字控製，通常稱為“傳輸”門“。
傳輸門，（TG）是雙向開關，其中任何一個端子都可以是輸入或輸出。除輸入和輸出端子外，傳輸門還有一個稱為控製的第三個連接，其中控製輸入將門的開關狀態確定為開路或閉路（NO / NC）開關。
此輸入通常由數字邏輯信號驅動，該信號在地（0V）和設定的直流電壓（通常為VDD）之間切換。當控製輸入為低電平（控製= 0）時，開關打開，當控製輸入為高電平（控製= 1）時，開關閉合。
傳輸門的作用類似於電壓控製開關，作為開關，CMOS傳輸門可用於切換通過全範圍電壓（從0V到V DD ）的模擬和數字信號。
在單個柵極內將NMOS和PMOS晶體管組合在一起意味著NMOS晶體管將傳輸良好的邏輯“0”但是差的邏輯“1”，而PMOS晶體管傳輸良好的邏輯“1”但是邏輯“0”。因此，將NMOS晶體管與PMOS晶體管並聯連接可提供單個雙向開關，為單個輸入邏輯電平控製的CMOS邏輯門提供高效的輸出驅動能力。
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