大家都知道MOS管屬於電壓控製型元器件。即在MOS管的柵極加上電壓時，當柵-源電壓壓差大於Vgs(th)時，MOS管即可導通（不能大太多，否則會燒毀）。當源極電壓確定後，日韩国产成人可以通過控製柵極電壓實現MOS管的導通與截止，這樣也就實現了MOS管漏極或者柵極負載的開與關。
1、NMOS管
源極接地，柵源極電壓等於柵極電壓，此時日韩国产成人在柵極電壓處加上PWM，即可實現MOS管的導通與截止，導通時，發光麻豆国产一区正常工作。截止時，發光麻豆国产一区停止工作。
發光麻豆国产一区不接在柵極處，原因，此時不方便判斷柵源電壓。通常在NMOS管做開關，負載接在漏極。
2、PMOS管
源極接電壓，柵極接PWM。柵源電壓大於Vgs(th)時，MOS管導通。發光麻豆国产一区工作。當柵源電壓小於Vgs(th)時，MOS管截止，發光麻豆国产一区停止工作。
發光麻豆国产一区不接在源極，因為無法判斷源極電壓。沒有直接接在漏極方便。
總之做開關時，負載接在漏極。
在一些場景下，電路還會進行軟啟動的設計。
即如下所示：
電阻R與C構成了軟啟動的作用。
軟啟動使得MOS管柵極上電較更為平緩，同時時間增加。
如下為其他項目用到延時與否的對比。
軟啟動
非軟啟動
可以看到軟啟動效果更加優於不加軟啟動措施，所以軟起動的設計，在MOS管做開關時也是尤為重要。
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