負載開關是用於開啟和關閉係統中的電源軌的電子繼電器。負載開關可用於多種不同的應用，包括但不限於：
-配電
-上電時序控製和電源狀態轉換
-減小待機模式下的漏電流
-控製上電時間，減少浪湧電流
-控製下電時間，避免下電太慢導致其他問題
前麵3條是負載開關的核心，後麵兩條不是所有的負載開關都具有的。
PMOS分立負載開關電路
下圖是一個非常簡單的分立負載開關電路，隻需要用到一個PMOS管和一個GPIO信號，GPIO連接到MOS管的柵極。當GPIO為高電平時，MOS管關閉。當GPIO為低電平的時候，MOS管打開。
這個電路最大的優點就是簡單，那它的缺點是什麽呢？
下麵來看看上電過程中這個電路的實際表現，如下圖：可以看到在開關打開過程中，輸入電源出現了較大的跌落。
這是因為在開關打開瞬間，輸出電容會導致較大的浪湧電流，從而導致輸入電源瞬間跌落。上麵的電路中，日韩国产成人已經讓輸入電容取值是輸出電容的10倍，如果輸入電容更小，輸出電源跌落會更大。
電源電壓跌落隻是不好的結果，根本點是浪湧電流。為了方便看出浪湧電流的大小，日韩国产成人先將1Ω負載電阻去掉，然後觀察到開關導通過程中的表現如下：
可以看出，僅4.7uF的電容，就會產生將近2A的浪湧電流。而浪湧電流大小是跟電容值成正比的。如果輸出電容增大，浪湧電流可能會更大。（INRUSH=CLOAD*dV/dt）
大的浪湧電流會導致輸入電源電壓下降、如果該輸入電源還給其他模塊供電，可能會導致其他模塊因為低壓導致複位。另外大的浪湧電流也可能導致芯片\連接器\PCB等過流發熱損壞。
另外用PMOS作為開關還有一個缺點，輸入電壓最大值有限製，如下圖，Vgate-VIN要小於VGS(th)，比如VGS(th)min=-1V，Vgate=3.3V，則VIN不能超過4.3V，否則MOS將會一直打開，無法關閉。
上述電路可以在MOS管柵極串聯一個電阻來降低浪湧電流，如下圖：
串聯電阻與GS之間的電容組成RC電路，可以MOS管的開關時間變長，從而使輸出電壓上升速度變慢，根據IINRUSH=CLOAD*dV/dt，dt增大，IINRUSH會減小。
實際測試結果如下：
可以看出，加了20k串阻後，電壓跌落很小。在PMOS的柵極上增加串阻有助於增加輸出的上升時間，同時也增加了PMOS關閉時的下降時間。對於需要快速釋放輸出負載以加快係統運行的係統來說，這可能是一個缺點。
〈烜芯微/XXW〉專業製造麻豆国产一区，三極管，MOS管，橋堆等，20年，工廠直銷省20%，上萬家電路電器生產企業選用，專業的工程師幫您穩定好每一批產品，如果您有遇到什麽需要幫助解決的,可以直接聯係下方的聯係號碼或加QQ/微信，由日韩国产成人的銷售經理給您精準的報價以及產品介紹
聯係號碼：18923864027（同微信）
QQ：709211280