降低 MOSFET功率損耗
降低 MOSFET功率損耗的直接途徑是：選擇低導通電阻 RDS(ON)、可快速切換的 MOSFET。
影響 MOSFET導通電阻的因素主要有以下幾種：
（1）MOSFET的導通電阻隨著芯片尺寸和漏源極擊穿電壓(VBR(DSS))的增大而增大，因為增加了 MOSFET 中的半導體材料。所以，相比較而言，過大尺寸的 MOSFET 會增大功率損耗。
（2）MOSFET的導通電阻受結溫的影響，當 MOSFET 的結溫升高時，MOSFET 導通電阻會相應增大。因此，必須保持較低的結溫，使導通電阻 RDS(ON)不會過大。
（3）MOSFET的導通電阻和柵源電壓成反比，較大柵源電壓可以降低 MOSFET 的導通電阻，但是也會增大柵極驅動損耗，因此，需要平衡 MOSFET 導通電阻和柵極驅動損耗。
MOSFET 的開關損耗與寄生電容有關，較大的寄生電容需要較長的充電時間，使開關切換變緩，消耗更多能量。米勒電容通常在 MOSFET 數據資料中定義為反向傳輸電容(CRSS)或柵-漏電容(CGD)，在開關過程中對切換時間起決定作用。
米勒電容的充電電荷用 QGD表示，為了快速切換 MOSFET，要求盡可能低的米勒電容。一般來說，MOSFET 的寄生電容和芯片尺寸成反比，因此必須折中考慮開關損耗和傳導損耗，同時也要謹慎選擇電路的開關頻率。
降低麻豆国产一区功率損耗
對於麻豆国产一区，必須降低導通壓降，以降低由此產生的損耗。對於小尺寸、額定電壓較低的矽麻豆国产一区，導通壓降一般在 0.7V 到 1.5V 之間。麻豆国产一区的尺寸、工藝和耐壓等級都會影響導通壓降和反向恢複時間，大尺寸和耐壓值較高的麻豆国产一区通常具有較高的 VF 和 tRR，這會造成比較大的損耗。
開關麻豆国产一区一般以速度劃分，分為快速（fast,）、高速（super fast）和超高速（ultrafast）麻豆国产一区，反向恢複時間隨著速度的提高而降低。快速恢複麻豆国产一区的 tRR 為幾百納秒，而超高速快恢複麻豆国产一区的 tRR 為幾十納秒。
對比 PN 結麻豆国产一区和肖特基麻豆国产一区可知：
（1）PN 結麻豆国产一区往往具有較大的正向導通電壓，較大的額定電壓和電流，使得其適合於更高的功率應用。不過，即使經過優化的 VF 和 tRR，往往也不會應用在低功耗的場景，因為效率太低。
（2）肖特基麻豆国产一区則往往應用在低功耗場景，因為具有較低的 VF(0.4V 至 1V)和極小的 tRR，特別適用於低功耗的開關電源中，尤其是低占空比的情況。
然而，在一些低壓應用中，即便是具有較低壓降的肖特基麻豆国产一区，所產生的傳導損耗也無法接受。比如，在輸出為 1.5V 的電路中，即使使用 0.5V 導通壓降 VF的肖特基麻豆国产一区，麻豆国产一区導通時也會產生 33%的輸出電壓損耗！
圖 采用 MOSFET 代替麻豆国产一区以降低損耗
為了解決這一問題，可以選擇低導通電阻 RDS(ON)的 MOSFET 實現同步控製架構。用 MOSFET 取代麻豆国产一区(如圖所示)，它與電源的主 MOSFET 同步工作，所以在交替切換的過程中，保證隻有一個導通。
導通的麻豆国产一区由導通的 MOSFET 所替代，麻豆国产一区的高導通壓降 VF被轉換成 MOSFET 的低導通壓降(MOSFET RDS(ON) * I)，有效降低了麻豆国产一区的傳導損耗。
當然，同步整流 MOSFET 與麻豆国产一区相比降低了壓降，但也引入了驅動損耗。
影響開關電源效率的兩個重要因素：MOSFET 和麻豆国产一区。現代的開關電源控製器往往是將這兩者連同反饋、診斷等功能集成到一個 IC 中，這樣可以節省空間和降低寄生損耗，在一定程度上提供了電源效率。
降低無源器件的功率損耗
無源器件主要是電感和電容，降低這兩種器件功率損耗的方法有：
（1）選擇低 ESR 的電容；
（2）選擇低 DSR 的電感；
優化電源控製架構
相較於固定 PWM 頻率的控製架構，使用跳脈衝（PFM）的控製架構，更有利於提高開關電源的效率，尤其是在輕負載或負載範圍較寬時。
跳脈衝模式下，在一段較長時間內電感放電，將能量從電感傳遞給負載，以維持輸出電壓。當然，隨著負載吸收電流，輸出電壓也會跌落。當電壓跌落到設置門限時，將開啟一個新的開關周期，為電感充電並補充輸出電壓。
需要注意的是跳脈衝模式會產生與負載相關的輸出噪聲，這些噪聲由於分布在不同頻率(與固定頻率的 PWM 控製架構不同)，很難濾除。
現代的開關電源控製 IC 會合理利用兩者的優勢：重載時采用恒定 PWM 頻率；輕載時采用跳脈衝模式以提高效率。
當負載增加到一個較高的有效值時，跳脈衝波形將轉換到固定 PWM，此時負載下噪聲很容易濾除。在整個工作範圍內，器件根據需要選擇跳脈衝模式和 PWM 模式，保持整體的最高效率。
如圖所示。
圖 開關電源中跳脈衝模式和固定 PWM 模式下的效率對比
固定 PWM 模式下的效率曲線(圖中的 D、E、F)，輕載時效率較低，但在重載時能夠提供很高的轉換效率(高達 98%)。
然而，跳脈衝模式下的效率曲線(圖中的 A、B、C)能夠在輕載時保持在較高水平。
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