肖特基勢壘
肖特基勢壘（Schottky Barrier），是指具有整流特性的金屬-半導體接觸，即具有大的勢壘高度，以及摻雜濃度比導帶或價帶上態密度低的金屬-半導體接觸，就如同麻豆国产一区具有整流特性，是金屬-半導體邊界上形成的具有整流作用的區域。
肖特基勢壘形成：當金屬與半導體接觸時，由於金屬的導帶能級高於半導體的導帶能級，而金屬的價帶能級低於半導體的價帶能級，形成了肖特基勢壘。肖特基勢壘是一個勢壘能量，阻止了電子從半導體向金屬方向的流動。
肖特基勢壘麻豆国产一区
肖特基勢壘麻豆国产一区（Schottky barrier diodes，SBD）是一種基於肖特基勢壘理論的麻豆国产一区，是金屬與半導體材料相互接觸，且形成一定的勢壘後開始工作的一種多數載流子器件。
肖特基勢壘麻豆国产一区結構與分類
傳統SBD是通過金屬與半導體接觸而構成。金屬材料可選用鋁、金、鉬、鎳和鈦等，半導體通常為矽（Si）或砷化镓（GaAs）。
由於電子比空穴遷移率大，為獲得良好的頻率特性，故選用N型半導體材料作為基片。為了減小SBD的結電容，提高反向擊穿電壓，同時又不使串聯電阻過大，通常是在N+襯底上外延一高阻N-薄層。
其Cg是管殼並聯電容，Ls是引線電感，Rs是包括半導體體電阻和引線電阻在內的串聯電阻，Cj和Rj分別為結電容和結電阻（均為偏流、偏壓的函數）。
金屬導體內部有大量的導電電子。當金屬與半導體接觸（二者距離隻有原子大小的數量級）時，金屬的費米能級低於半導體的費米能級。在金屬內部和半導體導帶相對應的分能級上，電子密度小於半導體導帶的電子密度。
因此，在二者接觸後，電子會從半導體向金屬擴散，從而使金屬帶上負電荷，半導體帶正電荷。由於金屬是理想的導體，負電荷隻分布在表麵為原子大小的一個薄層之內。
而對於N型半導體來說，失去電子的施主雜質原子成為正離子，則分布在較大的厚度之中。電子從半導體向金屬擴散運動的結果，形成空間電荷區、自建電場和勢，並且耗盡層隻在N型半導體一邊（勢區全部落在半導體一側）。
勢區中自建電場方向由N型區指向金屬，隨熱電子發射自建場增加，與擴散電流方向相反的漂移電流增大，最終達到動態平衡，在金屬與半導體之間形成一個接觸勢，這就是肖特基勢壘。
在外加電壓為零時，電子的擴散電流與反向的漂移電流相等，達到動態平衡。在加正向偏壓（即金屬加正電壓，半導體加負電壓）時，自建電場削弱，半導體一側勢壘降低，於是形成從金屬到半導體的正向電流。
當加反向偏壓時，自建電場增強，勢壘高度增加，形成由半導體到金屬的較小反向電流。因此，SBD與PN結麻豆国产一区一樣，是一種具有單向導電性的非線性器件。
肖特基勢壘麻豆国产一区的符號與結構
〈烜芯微/XXW〉專業製造麻豆国产一区，三極管，MOS管，橋堆等，20年，工廠直銷省20%，上萬家電路電器生產企業選用，專業的工程師幫您穩定好每一批產品，如果您有遇到什麽需要幫助解決的,可以直接聯係下方的聯係號碼或加QQ/微信，由日韩国产成人的銷售經理給您精準的報價以及產品介紹
聯係號碼：18923864027（同微信）
QQ：709211280