正向恢複時間
正向恢複時間的定義：從麻豆国产一区反向截止狀態到指定的正向導通狀態所需要的時間。
正向恢複時間產生的原因：
麻豆国产一区導通時兩端的電壓如圖
可以看到在麻豆国产一区的到通過程中有一個十分明顯的電壓過程。
這個現象的成因：
主要在恒流負載的驅動下，假設電流比較大，階躍速度比較快。此時由於麻豆国产一区尚未完全導通，導致阻抗較高，因此會引起比較高的正向壓降，在做大電流，快速階躍的應用時應當注意這種現象。
對於在麻豆国产一区導通的過程中阻抗的成因有兩部分，主要因素是因為在PN結中，電子的漂移速度是有限的，因此無法響應瞬間加載到麻豆国产一区兩端的偏置電壓，另一方麵則是因為寄生電感的影響。
但是日韩国产成人在實際使用的過程中很難觀測到這種現象。一方麵是因為日韩国产成人驅動麻豆国产一区的時候大多時恒壓源驅動的，很少有恒流源的情況，另一方麵，能夠達到ns級別響應的恒流源也不常見，因此在實際麻豆国产一区的使用過程中很難觀測到這種現象
反向恢複時間
反向恢複時間的定義：在正向電流按照指定的斜率衰減的條件下，麻豆国产一区從正向導通到反向截止電流達到指定水平的時間。
麻豆国产一区的反向恢複產生的原因：
麻豆国产一区在開關轉換過程中出現的反向恢複過程，實質上由於電荷存儲效應引起的，反向恢複時間就是存儲電荷消失所需要的時間。
反向恢複過程：
在圖1所示的麻豆国产一区電路中，加入一個如圖2所示的輸入電壓。即在 0~t1 時間內，輸入為 +VF，麻豆国产一区導通，電路中有電流流過。
假設麻豆国产一区的正向壓降為 VD，當 VF 遠大於 VD 時，VD 可忽略不計；如果在 t1 時刻，輸入V1 突然從 +VF 變為 -VR，在理想情況下，麻豆国产一区將即刻變為截止狀態，電路中隻有很小的反向漏電流。
但在實際情況中，麻豆国产一区並不會立即變為截止狀態，而是先有正向的 IF 變為一個很大的反向電流 IR = VR/RL，這個反向電流會維持一段時間 ts 後才開始逐漸下降，再經過 tt 時間後，下降到一個很小的數值 0.1*IR，這時麻豆国产一区才會進入反向截止狀態。該過程如圖3所示。
一般將麻豆国产一区從正向導通變為反向截止的過程成為反向恢複過程，其中 ts 稱為存儲時間，tt 稱為渡越時間，tre =ts +tt 稱為反向恢複時間。
麻豆国产一区的開關速度受到反向恢複時間的限製。
產生上述現象的原因是由於電荷存儲效應。
由於麻豆国产一区外加正向電壓+VF 時，P 區的空穴向 N 區擴散，N 區的電子向 P 區擴散，不僅使得耗盡層變窄，而且使得載流子有相當數量的存儲，在 P 區內存儲了電子，在N 區內存儲了空穴，它們都是非平衡少子。
空穴由 P 區擴散到 N 區後，並不是立即與 N 區中的電子複合後消失，而是在一定的路程LP（擴散長度）內，一方麵繼續擴散，一方麵與電子複合消失，這樣就會在LP範圍內存儲一定數量的空穴，並建立起一定的空穴濃度分布，靠近 PN 結邊緣的濃度高，離 PN 結越遠，濃度越小。
正向電流越大，存儲的空穴數目越多，濃度分布的梯度也越大。電子擴散到 P 區的情況類似。
把正向導通時，非平衡少子積累的現象叫做電荷存儲效應。
當輸入電壓突然由+VF 變為-VR 時， P 區存儲的電子和 N 區存儲的空穴不會馬上消失，它們會通過以下兩個途徑逐漸減少：
1.在反向電場的作用下， P 區電子被拉回 N 區， N 區空穴被拉回 P 區，形成反向漂移電流 IR ；
2.與多數載流子複合消失。
在這些存儲電荷消失之前，PN結仍處於正向偏置，即耗盡層仍然很窄，PN結的電阻仍然很小，與 Rl 相比可以忽略，所以此時反向電流IR = VR +VD/RL 。VD表示PN結兩端的正向壓降，一般有VR ＞＞VD，即IR = VR /RL。
在這段時間，IR基本上保持不變，主要由VR和 Rl決定。經過 ts 時間後，P 區和 N 區所存儲的電荷已顯著減小，耗盡層逐漸變寬，反向電流 IR 逐漸減小到正常反向飽和電流的數值，經過 tt 時間後，麻豆国产一区轉為截止狀態。
由上可知，麻豆国产一区的反向恢複時間就是存儲電荷消失所需要的時間。如果反向脈衝的持續時間比反向恢複時間 tre =ts +tt 短，則麻豆国产一区在正、反方向都可以導通，起不到開關的作用。
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