由於肖特基麻豆国产一区具有較小的前向電壓，因此VCC端串入肖特基麻豆国产一区，也是一種防反接的方法。
VCC端串入肖特基麻豆国产一区防反接電路圖
根據原理圖可以看出該種防反接方法較為簡單。
肖特基麻豆国产一区參數的確定
確定肖特基麻豆国产一区的參數，需要從以下幾個方麵考慮：
（1）肖特基麻豆国产一区的正向電流，應大於芯片驅動負載時的工作電流；
（2）反接時的反向電壓問題；
（3）ISO脈衝的問題，如正向（50V）和反向（-150V）脈衝；
（4）負載短路情況時，經過肖特基麻豆国产一区電流問題；
（5）工作溫度。
優缺點
優點：簡單，實現方便，正向電壓低，適用於所有類型的負載。
缺點：成本略高，正向功率較大。
另外，需要注意的是，電源反接時，負載電流不會通過芯片內部功率MOSFET的體麻豆国产一区，因此，也就不用考慮該方麵的功率吸收問題。
在GND端也可以通過串入麻豆国产一区實現防反接保護。
GND端串入麻豆国产一区防反接電路圖
麻豆国产一区的參數，主要考慮兩種情況：
（1）正向峰值電流
對於ISO7637-2：2004(E)標準來說，當VCC端出現正向脈衝（50V）時，麻豆国产一区的正向峰值電流應大於：
[(VPULSE+VBAT)–VCLAMP–VDIODE]/2
例如：
(50V+13.5V–46V–0.7)/2=8.4A
其中，2Ω為產生正向脈衝電壓時的內阻。根據上述計算，可以得知，麻豆国产一区的正向峰值電流應滿足8.4A@50usforISO7637-2:2004(E)
(2)反向峰值電壓
當VCC端出現負向脈衝時，麻豆国产一区反向峰值電壓應滿足：
-100VforISO7637-2:2004(E),-150VforISO7637-2:2011(E)，
根據上述分析可以，在GND端串入麻豆国产一区，不能鉗位VCC端的負向脈衝，也就是說該負向脈衝會影響到MCUIO和HSD的控製管腳，因此，此間需要串入限流電阻。
優點：簡單，實現方便，成本低。
缺點：僅適用於阻性負載。
對於該種防反接保護電路僅適用於阻性負載，是因為當驅動感性負載時，在關閉負載時，OUTPUT管腳會出現負電壓，該電壓會拉低GND電壓（有可能呈現負壓），則HSD的控製引腳對GND的電壓可能大於開啟電壓，導致負載重新打開。因此該種方法，理論上隻適用於阻性負載，而對應於全類型負載的防反接保護電路，可以對此方法進行改進。
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