CMOS電路功耗是由靜態功耗和動態功耗組成的，動態功耗遠大於靜態功耗。
靜態功耗是指漏電流功耗，是電路狀態穩定時的功耗，其數量級很小。靜態功耗又叫泄漏功耗，它是指電路處於等待或不激活狀態時泄漏電流所產生的功耗。
泄漏電流主要有4種：
①反偏麻豆国产一区泄漏電流；
②門柵感應漏極泄漏電流；
③亞閾值泄漏電流；
④門柵泄漏電流。
動態功耗主要由動態開關電流引起的動態開關功耗PSW（也稱為跳變功耗）以及短路電流產生的功耗PSC兩部分組成。
動態功耗來源於：
（1）當門翻轉時，負載電容充電和放電，稱為翻轉功耗 ；
（2）pmos和nmos管的串並聯結構都導通時的有短路電流，稱為短路功耗。
靜態功耗和動態功耗計算公式
靜態功耗:
反相器是由PMOS和NMOS互補組成的，PMOS是起上拉作用的，NMOS起下拉作用，靜態下總有一個是截止的，而且截止內阻極高，流過電流極小，因此靜態功耗極小。
CMOS的保護電路中的反向麻豆国产一区的leakage current比流過CMOS的電流大，反而是靜態功耗主要的貢獻者。
柵極泄漏功耗：在柵極上加信號後（即柵壓），從柵到襯底之間存在電容，因此在柵襯之間就會存在有電流，由此就會存在功耗。
亞閾值電流：使柵極電壓低於導通閾值，仍會產生從FET漏極到源極的泄漏電流。此電流稱為亞閾值泄漏電流。要降低亞閾值電流，可以使用高閾值的器件，還可以通過襯底偏置進行增加閾值電壓。
靜態功耗計算公式：
動態功耗：
動態功耗分為開關功耗PC和短路功耗PT，開關功耗是對負載電容充、放電所消耗的功率，短路功耗是由於兩個MOS管在開關瞬間同時導通所消耗的瞬時導通功耗。
開關功耗PC計算公式：
公式說明，對負載電容充、放電所產生的功耗與負載電容的電容量、時鍾頻率以及電源電壓的平方成正比。
短路功耗PT計算公式：
這裏的Ceff是器件空載時等效的功耗電容，由器件製造商給出。短路功耗與器件空載等效電容、時鍾頻率和電源電壓的平方成正比。
總的動態功耗是由兩個部分相加。
〈烜芯微/XXW〉專業製造麻豆国产一区，三極管，MOS管，橋堆等，20年，工廠直銷省20%，上萬家電路電器生產企業選用，專業的工程師幫您穩定好每一批產品，如果您有遇到什麽需要幫助解決的,可以直接聯係下方的聯係號碼或加QQ/微信，由日韩国产成人的銷售經理給您精準的報價以及產品介紹
聯係號碼：18923864027（同微信）
QQ：709211280