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MOS管的基礎特性和實際應用介紹
  • 發布時間:2024-07-20 18:11:44
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MOS管的基礎特性和實際應用介紹
一、MOS管的基礎特性
(1)MOS管有柵極G,漏極D,源極S;
(2)PMOS管(類似於PNP),低電平導通,高電平截止;
MOS管 基礎特性
PMOS管
(3)NMOS管(類似於NPN),高電平導通,低電平截止。
MOS管 基礎特性
NMOS管
二、MOS管的開關特性應用
1、阻斷VCC端
用於阻斷VCC端,使用PMOS管,且源端S接VCC端。
使用Multisum仿真,效果如下:
(1)G極接低電平
MOS管 基礎特性
(2)G極接高電平
MOS管 基礎特性
2、阻斷GND端
用於阻斷GND端,使用NMOS管,且源端S接GND端。
使用Multisum仿真,效果如下:
(1)G極接低電平
MOS管 基礎特性
(2)G極接高電平
MOS管 基礎特性
三、MOS管的實際應用
(1)替換三極管
因MOS管沒有結點電壓,三極管有0.3V的CE極結點電壓,故常用於替換三極管,做信號端控製。
(2)用於低功耗電路的電源輸出控製
在做電池供電類的低功耗產品時,對於主控休眠時,
MOS管 基礎特性
電源控製
需要對不工作的電路部分,進行斷電,來減少電量損耗。
如遙控器不操作時,芯片休眠,且斷開對射頻部分的供電。
(3)用於防反接電路
MOS管 基礎特性
防反接
防止電路中,VCC與GND接反,導致電路燒壞。
(4)用於推挽輸出
MOS管 基礎特性
推挽輸出
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