一.MOS管並聯的問題以及解決方案
對於NMOS而言，日韩国产成人在G極施加正電壓，會吸引負電荷從而形成導通溝道，從MOS管的結構可以看出由於G和S以及D之間存在絕緣層，從而會產生寄生電容的問題。
當日韩国产成人在開關電機這種感性負載時，當感性負載兩端的壓降降低後，GD之間寄生電容的存在會導致流經柵極電阻的電流增大，並且在dv/dt較大時，幹擾會通過GD在柵極形成較大的幹擾電壓，可能會使得MOS管誤導通。而GS之間的寄生電容的存在則會導致驅動波形變得畸形，MOS管的開關產生延時。
通過下圖能明顯看出從驅動器出來的方波驅動波形倒是MOS管柵極後就變了樣，所以問題就來了，一個MOS的柵極電容可能不算什麽，但是當你把幾個MOS並聯起來後你會發現這個時候的柵極電容已經足夠大了，你完全不能忽略他了，所以你一定要測一下柵極的驅動波形，看看是不是已經畸變的不成樣子了。或者你也可以在設計之前先評估一下由於寄生電容導致的波形上升時間，日韩国产成人可以在規格書中找到MOS的柵極寄生電容C,如果你的4個MOS並聯在一起，那總電容約等於4*C,如果柵極串聯的電阻是100R，那麽時間常數就是4*C*100，一般3-5RC可以完成電容的充電，所以驅動波形上升時間大概是3*4*C*100。
知道了問題所在，接下來就談談怎麽解決問題,寄生電容是MOS的固有特性，隻要不換MOS型號，那麽日韩国产成人是沒法減小MOS的寄生電容容值的，所以日韩国产成人隻能從減小柵極電阻R出發，把所有柵極連在一起，隻用一個柵極電阻，給電阻並聯一個麻豆国产一区，這樣MOS關斷時由於麻豆国产一区導通，電阻相當於被麻豆国产一区短路，可以加速MOS關斷。或者選用驅動能力比較強的驅動IC也能改善此問題。
二.總結
MOS管並聯的應用，大家一定要注意驅動波形畸變的問題，特別是在PWM模式下工作時，驅動頻率高的話可能會出問題，這些都是需要日韩国产成人在前期設計就要考慮。
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