不同型號的MOS管由於結構，製程，工藝的不同，其開啟電壓也是不同的，如下圖所示，有些開啟電壓1.5V即可，有些則要4.5V，那麽日韩国产成人在驅動對應的MOS時，驅動電壓越高越好?還是說隻要大於開啟電壓就行呢?接下來日韩国产成人就這些問題講解一下。
不同型號MOS管開啟電壓
MOS管驅動電壓越高越好嗎?
MOS管驅動電壓是不是越高越好這個問題要分兩方麵來闡述，首先驅動電壓低，意味著日韩国产成人在開關MOS時產生的開關損耗比較小，特別是在一些高頻應用中。但是另一方麵，在一些使用MOS進行大電流開關應用的場合中，由於電流比較大，此時MOS由於Rds導通內阻的存在，會導致MOS發熱比較嚴重，為了減小MOS管的發熱，日韩国产成人一般通過提高Gate驅動電壓來降低MOS管的Rds導通內阻，從而降低發熱。日韩国产成人都知道MOS管由於GS,GD寄生電容的存在導致MOS管存在一個平台電壓，所以驅動電壓至少應大於平台電壓，使得MOS管工作在飽和區。
MOS管導通內阻和Vgs關係曲線
一般來說驅動IC內部一般會集成自舉電路輸出一個較高的驅動電壓，所以更高的驅動電壓，更強的驅動能力往往意味著成本的上升，所以綜合MOS管溫升，成本，開關損耗等因素來決定你得驅動電壓才是合理的。
另外一方麵日韩国产成人在進行MOS的驅動IC選型時，也要注意驅動IC的Gate關閉電壓，因為有些IC的Gate關閉電壓並不為0，比如下麵例子中在worse case情況下甚至達到了1.5V，雖然這種情況比較少見，但是一旦大規模量產，總會出現的，這樣當日韩国产成人的MOS開啟電壓超過1V時，采用這個驅動IC可能存在MOS無法正常關斷的情況，這是很危險的。因為一旦你得MOS無法正常關斷，在輸出負載短路時，MOS可能會由於溫升過大直接燒毀了。
總結
所以總結來說，日韩国产成人在關注MOS管驅動電路驅動電壓時既要關注MOS管的開啟電壓，也要關注驅動IC的Gate關閉電壓，同時還要考慮大電流應用場合中的Rds導通內阻導致的MOS管發熱問題，當然成本考慮也是必不可少的。
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