先講連續時或臨界時MOS管DS波形，在講斷續模式下mos管Ds波形。
1，CCM模式或者CRM模式下MOS管DS波形
如圖是CCM或者是CRM模式下DS波形，鉛筆為電感lp的電流波形
在開關管關斷時，漏感Llk儲存的能量沒有辦法對副邊釋放，關斷的瞬間開始對開關管的DS電容進行充電，從上述t0時刻開始，當mos管DS電壓達到輸入電壓Vin時刻，即t1時刻，等效電路如下所示
上圖是to-t1時刻的等效電路
開關管完全截止，此時副邊的麻豆国产一区開始開通，主電感能量開始向副邊釋放能量，而變壓器的漏感能量會繼續給開關管的DS容及寄生容衝電，當電壓達到Uin+Ucmin時，吸收麻豆国产一区開始導通（這個點圖中忘做標記了，這個點電壓是比Uin+Uclamp稍低一點），吸收麻豆国产一区導通後，會對電容c繼續充電，直到達到最大電平Uin+Uclamp。在t2之前會有一個1/4的震蕩過程，這個過程是漏感Llk和電容c進行諧振產生的。這個過程等效電路如下圖所示
圖示是t1-t2等效電路圖
當電壓達到最大點的時候，此時漏感儲存的能量基本已經釋放完畢，不再向吸收電容上充電，所以mos管DS兩端的電壓也開始往下掉，此時漏感會和mos管DS容及寄生容發生高頻震蕩，由於mos管DS兩端端容要遠小於吸收電路的電容c，所以漏感和mos管DS容產生的振蕩頻率是比較高的，此時電容C上的能量也開始通過R進行釋放，直到電平到達穩定Uin+Uor時結束，及t3，t3後麵都是主感量Lm向副邊釋放能量的過程，直到下一個開關管開通信號來臨。
2，DCM模式下MOS管DS波形
DCM模式下MOS管關斷時DS兩端波形，鉛筆為Lp電流波形
斷續模式下前麵一直到t4過程都是一樣的，隻是多了一個t4-t5階段
下麵介紹一下t4-t5階段，在t4階段結束時，是Lp能量釋放完畢的過程，在Lm能量釋放完畢過後，開關管仍然是關閉的，此時Lp，Llk和Mos管DS電容發生振蕩的過程，振蕩波形的中心點電壓為Uin。
上麵就是反激變換器MOS管DS波形典型波形分析。
後麵講RCD吸收電路的參數影響及如何選擇。
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