一、此電流尖峰對電源的害處
1、就是由於這個尖峰的存在，開關電源芯片為了防止誤觸發加入了前沿消隱，如果太高還是有可能誤觸發。
2、這個尖峰（di/dt很大）對開關電源EMI影響不小。
3、這個尖峰電流會增大MOS開關管開通時的交越損耗，降低效率
二、電流尖峰的來源
1、MOS管開啟時驅動電流由G流到S到地這條路徑是有電流的（驅動電路上有驅動電阻限製驅動電流的這個電流不大）；
2、另外一條通路從MOS下來的，從表麵上看這條通路連接電感，電感上的這個電流實際上就是主電流是從0緩慢（相對於尖峰電流）上升的，但別忘了還有一個隱藏的通路就是變壓器原邊繞組是有寄生電容的（層間電容和匝間電容），這個寄生電容裏麵存儲的電量瞬間由MOS到地放出，會產生一個較大尖峰電流。
3、還有一個就是從副邊耦合過來的電流，日韩国产成人都知道副邊整流麻豆国产一区從導通（正偏）到反偏的這個過程中麻豆国产一区有一個反向恢複電流。這個反向恢複電流是通過麻豆国产一区和變壓器副邊繞組的，它會通過耦合折射到原邊繞組上的（注意：在DCM下沒有反向恢複電流）。
三、減小電流尖峰對策
1想辦法減小變壓器原邊繞組分布電流
① 變壓器使用三明治繞法使原邊繞組分開
② 減小原邊繞組的匝數（比如可以用Ae值比較大的磁芯（PQ等）可以減少變壓器匝數）
③ 盡量繞成單層繞組
2、減少副邊反向恢複電流
① 如果是功率很小的開關電源把變壓器設計在DCM模式下運行(DCM無反向電流）。
② 使用準諧振芯片（準諧振也是在DCM）
③ 使用反向恢複特性好的麻豆国产一区，比如肖特基，當然還有碳化矽麻豆国产一区，注意碳化矽麻豆国产一区成本非常高。
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