如下是一個 NMOS 的開關電路，階躍信號 VG1 設置 DC 電平 2V，方波（振幅 2V，頻率 50Hz），T2 的開啟電壓 2V，所以 MOS 管 T2 會以周期 T=20ms 進行開啟和截止狀態的切換。
首先仿真 Vgs 和 Vds 的波形，會看到 Vgs=2V 的時候有一個小平台，有人會好奇為什麽 Vgs 在上升時會有一個小平台？
MOS 管 Vgs 小平台
帶著這個疑問，日韩国产成人嚐試將電阻 R1 由 5K 改為 1K，再次仿真，發現這個平台變得很小，幾乎沒有了，這又是為什麽呢？
MOS 管 Vgs 小平台有改善
為了理解這種現象，需要理論知識的支撐。
MOS 管的等效模型
日韩国产成人通常看到的 MOS 管圖形是左邊這種，右邊的稱為 MOS 管的等效模型。
其中：Cgs 稱為 GS 寄生電容，Cgd 稱為 GD 寄生電容，輸入電容 Ciss=Cgs+Cgd，輸出電容 Coss=Cgd+Cds，反向傳輸電容 Crss=Cgd，也叫米勒電容。
如果你不了解 MOS 管輸入輸出電容概念，請點擊：帶你讀懂 MOS 管參數「熱阻、輸入輸出電容及開關時間」
米勒效應的罪魁禍首就是米勒電容，米勒效應指其輸入輸出之間的分布電容 Cgd 在反相放大的作用下，使得等效輸入電容值放大的效應，米勒效應會形成米勒平台。
首先日韩国产成人需要知道的一個點是：因為 MOS 管製造工藝，必定產生 Cgd，也就是米勒電容必定存在，所以米勒效應不可避免。
那米勒效應的缺點是什麽呢？
MOS 管的開啟是一個從無到有的過程，MOS 管 D 極和 S 極重疊時間越長，MOS 管的導通損耗越大。因為有了米勒電容，有了米勒平台，MOS 管的開啟時間變長，MOS 管的導通損耗必定會增大。
仿真時日韩国产成人將 G 極電阻 R1 變小之後，發現米勒平台有改善？原因日韩国产成人應該都知道了。
MOS 管的開啟可以看做是輸入電壓通過柵極電阻 R1 對寄生電容 Cgs 的充電過程，R1 越小，Cgs 充電越快，MOS 管開啟就越快，這是減小柵極電阻，米勒平台有改善的原因。
那在米勒平台究竟發生了一些什麽？
以 NMOS 管來說，在 MOS 管開啟之前，D 極電壓是大於 G 極電壓的，隨著輸入電壓的增大，Vgs 在增大，Cgd 存儲的電荷同時需要和輸入電壓進行中和，因為 MOS 管完全導通時，G 極電壓是大於 D 極電壓的。
所以在米勒平台，是 Cgd 充電的過程，這時候 Vgs 變化則很小，當 Cgd 和 Cgs 處在同等水平時，Vgs 才開始繼續上升。
日韩国产成人以下右圖來分析米勒效應，這個電路圖是一個什麽情況？
MOS 管 D 極負載是電感加續流麻豆国产一区，工作模式和 DC-DC BUCK 一樣，MOS 管導通時，VDD 對電感 L 進行充電，因為 MOS 管導通時間極短，可以近似電感為一個恒流源，在 MOS 管關閉時，續流麻豆国产一区給電感 L 提供一個泄放路徑，形成續流。
MOS 管的開啟可以分為 4 個階段。
t0~t1 階段
從 t0 開始，G 極給電容 Cgs 充電，Vgs 從 0V 上升到 Vgs（th）時，MOS 管都處於截止狀態，Vds 保持不變，Id 為零。
t1~t2 階段
從 t1 後，Vgs 大於 MOS 管開啟電壓 Vgs（th），MOS 管開始導通，Id 電流上升，此時的等效電路圖如下所示，在 IDS 電流沒有達到電感電流時，一部分電流會流過麻豆国产一区，麻豆国产一区 DF 仍是導通狀態，麻豆国产一区的兩端處於一個鉗位狀態，這個時候 Vds 電壓幾乎不變，隻有一個很小的下降（雜散電感的影響）。
t1~t2 階段等效電路
t2~t3 階段
隨著 Vgs 電壓的上升，IDS 電流和電感電流一樣時，MOS 管 D 極電壓不再被麻豆国产一区 DF 鉗位，DF 處於反向截止狀態，所以 Vds 開始下降，這時候 G 極的驅動電流轉移給 Cgd 充電，Vgs 出現了米勒平台，Vgs 電壓維持不變，Vds 逐漸下降至導通壓降 VF。
t2~t3 階段等效電路
t3~t4 階段
當米勒電容 Cgd 充滿電時，Vgs 電壓繼續上升，直至 MOS 管完全導通。
結合 MOS 管輸出曲線，總結一下 MOS 管的導通過程
t0~t1，MOS 管處於截止區；t1 後，Vgs 超過 MOS 管開啟電壓，隨著 Vgs 的增大，ID 增大，當 ID 上升到和電感電流一樣時，續流麻豆国产一区反向截止，t2~t3 時間段，Vgs 進入米勒平台期，這個時候 D 極電壓不再被續流麻豆国产一区鉗位，MOS 的夾斷區變小，t3 後進入線性電阻區，Vgs 則繼續上升，Vds 逐漸減小，直至 MOS 管完全導通。
MOS 管輸出曲線
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