如圖2-6（a）所示，TVS麻豆国产一区（ESD保護麻豆国产一区）在短時間內吸收很高的過電壓，其作用是避免對其它半導體器件施加過大的電壓。另一方麵，如圖2-6（b）所示，齊納麻豆国产一区將輸入電壓鉗製為恒定電壓，並將鉗製的電壓提供給其它半導體器件。
因此兩者的差異在於，TVS麻豆国产一区吸收浪湧電壓以保護其它半導體器件，而齊納麻豆国产一区為其它半導體器件提供恒定電壓。
圖2-6（a）TVS麻豆国产一区的用途 圖2-6（b）齊納麻豆国产一区的用途
[TVS麻豆国产一区：參見圖2-7（a）]
TVS麻豆国产一区通常用於反向阻塞狀態。（幾乎沒有電流流動，隻施加電壓。）
隻有當電壓超過一定電壓（鉗位電壓）並施加到TVS麻豆国产一区時，才會發生擊穿（鉗位）。
圖2-7（a）TVS麻豆国产一区使用區域
齊納麻豆国产一区通常用於擊穿狀態。
假設擊穿（齊納）電流總是在正常狀態下流動。
圖2-7（b）齊納麻豆国产一区使用區域
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