如圖所示，MOSFET（不局限於SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體麻豆国产一区。從MOSFET的結構上講，體麻豆国产一区是由源極-漏極間的pn結形成的，也被稱為“寄生麻豆国产一区”或“內部麻豆国产一区”。對於MOSFET來說，體麻豆国产一区的性能是重要的參數之一，在應用中使用時，其性能發揮著至關重要的作用。
SiC-MOSFET體麻豆国产一区的正向特性
下圖表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源極為基準向漏極施加負電壓，體麻豆国产一区為正向偏置狀態。該圖中Vgs＝0V的綠色曲線基本上表示出體麻豆国产一区的Vf特性，。Vgs為0V即MOSFET在關斷狀態下，沒有通道電流，因此該條件下的Vd-Id特性可以說是體麻豆国产一区的Vf-If特性。如“何謂碳化矽”中提到的，SiC的帶隙更寬，Vf比Si-MOSFET大得多。
而在給柵極-源極間施加18V電壓、SiC-MOSFET導通的條件下，電阻更小的通道部分（而非體麻豆国产一区部分）流過的電流占支配低位。為方便從結構角度理解各種狀態，下麵還給出了MOSFET的截麵圖。
SiC-MOSFET體麻豆国产一区的反向恢複特性
MOSFET體麻豆国产一区的另一個重要特性是反向恢複時間（trr）。trr是麻豆国产一区開關特性相關的重要參數這一點在SiC肖特基勢壘麻豆国产一区一文中也已說明過。不言而喻，MOSFET的體麻豆国产一区是具有pn結的麻豆国产一区，因而存在反向恢複現象，其特性表現為反向恢複時間（trr）。下麵是1000V耐壓的Si-MOSFET和SiC-MOSFET SCT2080KE的trr特性比較。
如圖所示，示例的Si-MOSFET的trr較慢，流過較大的Irr。而SiC-MOSFET SCT2080KE的體麻豆国产一区速度則非常快。trr、Irr均為幾乎可忽略的水平，恢複損耗Err已經大幅降低。
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