可控矽觸發電路
可控矽由關斷轉為導通，除陽極要承受正向電壓外，門極還要加上適當的觸發電壓，改變觸發脈衝輸出時刻便可達到改變輸出直流電壓的目的。為門極提供觸發電壓和電流的電路叫觸發電路。
一、可控矽對觸發電路的要求
1、觸發信號應有足夠的功率(電壓與電流)。
2、觸發脈衝要具有一定的寬度，前沿要陡。
3、觸發衝的移相範圍應滿足變流裝置的要求。例如單相橋式全控整流電路帶電阻性負載時，移相範圍是0~180°；三相半波可控整流電路帶電阻性負載時，移相範圍0~150°；三相橋式全控整流電路帶電阻性負載時，移相範圍是0~120°；阻容移相觸發電路的移相範圍是0~160°。
4、觸發脈衝與主回路電源電壓必須同步。
二、觸發電路的類型
觸發電路的類型很多，主要有簡單移相觸發電路、阻容移相觸發電路、數字集成電路組成的觸發電路、單結晶體管觸發電路、同步電壓為鋸齒波的觸發電路等。由於單結晶體管觸發電路輸出的脈衝具有前沿陡、抗幹擾能力強和溫補性能好等特點，所以應用十分廣泛。
三、單結晶體管觸發電路
1、單結晶體管是一種特殊的半導體元件，它有3個電極(一個發射極和兩個基極),故又稱雙基極麻豆国产一区。
2、利用單結晶體管的負阻特性及電容的充、放電特性可組成單結晶體管自激振蕩電路。如下圖所示。
假定在接通直流電源Ubb之前電容C上沒有電壓，一旦接通Ubb，電源立即通過可變電阻R對電容C充電，電容兩端電壓按指數函數規律增長。當uc=UP時，單結晶體管導通，於是電容 C就向輸出電阻R1放電。由於R1很小(50~100Ω)，所以放電非常快，並在輸出電阻的電壓波形圖上形成尖脈衝電壓。當uc下降到穀點電壓Uv之後，單結晶體管截止，發射極電流幾乎為零，輸出尖脈衝停止，電容C再次充電。如此周而複始，在電容C上形成了鋸齒波，在輸出端R1的電壓波形圖上形成了一係列尖脈衝。
3、改變可變電阻R或電容C，均能改變脈衝的輸出時刻，但一般都是通過改變R實現，因為改變R容易且投資小。
4、一般C值取0.1~0.47μF，C值太小會造成觸發功率不夠，過大則最小控製角增大，移相範圍變小。
5、R1在50~100Ω之間取值為宜，R1值太小，則放電太快，脈衝太窄且幅度小，不利於觸發可控矽；R1值太大，有可能由於流過未導通單結晶體管的漏電流在R1上產生的“殘壓”太大，而導致可控矽誤導通。
6、因峰點電壓UP=ηUbb+UV，分壓比η不隨溫度的變化而變化，但UV隨溫度的上升而下降，所以峰點電壓隨溫度的上升而下降，這會引起UP不穩定而影響控製角。在電路中接入不隨溫度變化的電阻R2，當溫度升高時，UV值雖然下降，而rbb卻增大，電流Ibb=E/(R1+R2+rbb)減小，R1、R2上的電壓降相應減小，而E為恒定值，於是Ubb=E-(UR1+UR2)增大，以ηUbb的增加來補償UV的減小，從而維持UP不變，使觸發電路工作點基本穩定不變。R2一般取值200~600Ω。
四、單結晶體管同步觸發電路
如上圖所示，主電路和觸發電路由電壓u1同時供電。觸發電路經單相半波整流後,再經穩壓管DZl削波得到梯形波電壓。在梯形波由正到負過零點時，電容C放電，因而電容C能在主電路可控矽開始承受正向電壓，從零開始充電。每周期產生的第一個有用的觸發尖脈衝時間都一樣，即每周期的控製角α都相同，因而觸發電路與主電路取得了同步，使UL波形有規律地調節變化。
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