推挽電路（push-pull）就是兩個不同極性晶體管間連接的輸出電路。它采用兩個參數相同的功率BJT管或MOSFET管，以推挽方式存在於電路中，各負責正負半周的波形放大任務。電路工作時，兩隻對稱的功率開關管每次隻有一個導通，所以導通損耗小，效率高。推挽輸出既可以向負載灌電流，也可以從負載抽取電流。
在電路設計中，推挽輸出是一種很常用的輸出模式，具有很多優點，如更低的損耗、更安全的輸出等。“推挽”之意，即為當一個管子推出去時，另一個管子拉回來。輸入不同，交替導通。例如，當輸入信號為高電平的時候，上麵的管子導通，下麵的管子截止，輸出信號為高電平；當輸入信號為低電平的時候，上麵的管子截止，下麵的管子導通，輸出信號為低電平。
推挽結構一般是指兩個三極管分別受兩互補信號的控製，總是在一個三極管導通的時候另一個截止。要實現線與需要用OC（open collector）門電路。推挽電路適用於低電壓大電流的場合，廣泛應用於功放電路和開關電源中。
推挽輸出高電平
在推挽輸出模式下，一個晶體管用於提供高電平輸出，而另一個晶體管則用於提供低電平輸出。當內部輸出為1電平時，上邊的晶體管（如MOS管）導通，同時下邊的晶體管截止，這時輸出高電平。
推挽輸出的高電平電壓值取決於電路設計和應用環境。在某些情況下，推挽輸出的高電平可能接近電源電壓，例如3.3伏或5伏。然而，實際的電壓值可能會受到多種因素的影響，包括晶體管的導通壓降、電源電壓的穩定性以及負載的阻抗等。
在推挽輸出模式下，P-MOS管和N-MOS管同時工作，通過對兩個MOS管的導通控製，實現控製輸出高低電平，如圖所示：
因此，要了解推挽輸出的具體高電平值，需要參考相關的電路設計文檔或應用手冊，或者通過實際測量來確定。此外，推挽輸出通常與數字信號相配合，其中邏輯高電平（通常為Vcc）與一個晶體管連接，邏輯低電平（通常為地）與另一個晶體管連接。
推挽輸出低電平
在推挽輸出模式下，GPIO口是可以直接輸出高低電平的，不需要額外的上來或下拉輔助電路，如圖所示：
推挽輸出電路中的低電平通常是由另一個晶體管（如MOS管）在截止狀態時提供的。在這種情況下，輸出端會被拉向低電平，通常是地（GND）或接近地的電壓。
當推挽輸出電路中的內部信號為0時，控製低電平輸出的晶體管會導通，而控製高電平輸出的晶體管會截止。這樣，電流會通過導通的晶體管流向地，從而將輸出端拉至低電平。
低電平的電壓值通常接近地電平（0V），但具體的電壓值也會受到多種因素的影響，如晶體管的截止電壓、電源電壓的穩定性以及負載的阻抗等。
推挽輸出電路中的低電平並不是由電源直接提供的，而是通過晶體管的截止狀態來實現的。因此，低電平的電壓值可能會受到晶體管性能和電路設計的影響。
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