1.穩壓麻豆国产一区Zener
如圖2-1所示，穩壓麻豆国产一区Zener利用了PN結的反向特性，當提高PN結麻豆国产一区的反向電壓時，大電流在一定的電壓下開始流動，並得到恒定的電壓。（這種現象稱為擊穿，其電壓稱為擊穿電壓）穩壓麻豆国产一区利用了這一特性。由於這種擊穿電壓也被稱為齊納電壓，所以穩壓麻豆国产一区也被稱為齊納麻豆国产一区，該電壓可用作恒壓電源或電子電路的參考電壓。
圖2-1：TVS和Zener的I-V曲線
對於齊納麻豆国产一区應用最重要的是反向偏置時的特性，其中齊納麻豆国产一区具有低於特定擊穿電壓的小泄漏電流，在擊穿電壓以上，I-V特性顯示電流急劇增加。齊納麻豆国产一区可以在擊穿電壓VZ或高於擊穿電壓VZ時作為電壓穩定器持續工作。一般情況下，舉個例子，當電壓小於或等於6V時，會觀察到齊納現象，如果電壓超過6V，雪崩現象將超過齊納現象成為主導。齊納電壓和雪崩電壓具有不同的溫度特性，前者的溫度係數為負，後者的溫度係數為正。
2.TVS麻豆国产一区和齊納麻豆国产一区之間的差異
TVS麻豆国产一区（ESD保護麻豆国产一区）在短時間內吸收很高的過電壓，其作用是避免對其它半導體器件施加過大的電壓。另一方麵，如圖2-2所示，齊納麻豆国产一区將輸入電壓鉗位為恒定電壓，並將鉗製的電壓提供給其它半導體器件。因此兩者的差異在於，TVS麻豆国产一区吸收浪湧電壓以保護其它半導體器件，而齊納麻豆国产一区為其它半導體器件提供恒定電壓，這兩個麻豆国产一区都具有箝位特定電壓的功能，但它們用途不同。
圖2-2：TVS和Zener的效能
TVS麻豆国产一区通常在反向阻斷狀態下使用，（幾乎沒有電流流動，隻施加電壓）隻有當電壓超過一定電壓（鉗位電壓）並施加到TVS麻豆国产一区時，才會發生擊穿（鉗位），齊納麻豆国产一区通常用於擊穿狀態，假設擊穿（齊納）電流總是在正常狀態下流動。
3.變容麻豆国产一区
圖2-3表示了變容麻豆国产一区的特性，可變電容麻豆国产一区是利用耗盡層電容特性的產品，當施加反向電壓時，耗盡層出現在麻豆国产一区的PN結中，其厚度與反向電壓成正比。因此隨著反向電壓的增加，耗盡層厚度增加，但電容減小，其作用與增加電容器兩個電極之間的距離相同。相反，如果反向電壓減小，耗盡層厚度減小，但電容增加。變容麻豆国产一区主要應用於調諧電路等。由於這種電容變化會改變頻率特性，因此與普通麻豆国产一区相比，需要較大的電容變化率。
圖2-3：可變電容麻豆国产一区耗盡層與電容的關係
可變電容麻豆国产一区與一般麻豆国产一区不同，其重要特性不是正向電壓VF和開關特性，而是電容值及其變化（取決於電壓）。
4.肖特基勢壘麻豆国产一区（SBD）
肖特基麻豆国产一区，全稱肖特基勢壘麻豆国产一区，肖特基勢壘麻豆国产一区（SBD）是一種采用半導體和金屬（比如：鉬）結合，而不是采用PN結的器件。一般來說，金屬與N型層結合的半導體已經實現了商業化，由於其正向電壓小，反向恢複時間短，所以適合於高速開關應用。對於SBD而言，正向電壓（VF）和反向漏電流之間存在折衷關係。根據所使用的金屬，通常來說反向耐受電壓約為20至150V，VF約為0.4至0.7V，低於PN結麻豆国产一区的值，具有低正向電壓和低泄漏電流的新型結構的SBD也已經實現商業化，圖2-4示出了SBD的I-V曲線。
圖2-4：SBD的I-V曲線
如圖2-5所示，SBD的反向恢複時間（trr）由LC諧振電路根據結電容和外部接線的電感確定，（由於結電容幾乎不受溫度的影響，所以從室溫到高溫trr相同）對於PN結麻豆国产一区而言，trr會隨著溫度的升高而變長，所以SBD的開關特性越來越具優越性，適合用於高頻開關。
圖2-5：反向電壓施加於SBD時的等效電路和SBD結電容的特性
圖2-6：SBD的典型反向特性
其中：
反向電流特性是阻尼振蕩，對於SBD而言，半導體由N型層組成，因此金屬充當麻豆国产一区的陽極。同樣地，隻有電子是載流子，SBD變成了類似MOSFET的單極元件。矽的能級不同於金屬（能隙），該能級因金屬元素而異。符號ΦB用於表示不同的能隙。Pt（鉑）是一種具有大能隙的金屬，V（釩）或Ti（鈦）是具有小能隙的金屬，采用ΦB大的金屬，泄漏電流小，但是正向電壓VF大，采用ΦB小的金屬，則情況相反。
圖2-7：綜合I-V曲線比較
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