對於Boost電路，跟Buck電路一樣都有同步與非同步。如圖6.19所示，非同步Boost是有一個開關管和一個麻豆国产一区，而同步Boost是兩個開關管。
圖6.19 DCM模式下Boost電路的電感的實測波形
對於Boost電路，小電流場景下，有一些控製器還是非同步的Boost電路。所以會使用麻豆国产一区作為電路的組成部分。
分析麻豆国产一区在Boost電路中的作用，首先分析在開關管導通和關閉時電流的路徑。如圖6.20所示，開關管關閉，電感儲存的能量給輸出電容和負載提供能量，電流路徑為圖6.20右圖虛線箭頭方向，此時麻豆国产一区D1導通。
圖6.20 CCM模式下Boost電路的兩個狀態
開關管導通，電感進行儲存能量，電源的輸出電容維持輸出電壓Vout同時給負載供電，這時麻豆国产一区的單向導通性就發揮其作用了，不允許電流經過，那麽電容的放電路徑隻能是流向負載。此時麻豆国产一区的兩端電壓分別為0V和Vout，但是正好的是反向截止，此時麻豆国产一区電流為0A。
那如果短路麻豆国产一区D1後，又會發生什麽情況呢？
假設，麻豆国产一区D1短路後，電容C2的放電路徑會增加一條，此時開關管導通，日韩国产成人都知道開關管在導通的狀態下還是會存在一個很小的電阻，這個時候增加一條放電路徑，C2的能量就會損失，造成了Boost升壓的無法工作。以上僅為假設。所以在Boost升壓電路中的麻豆国产一区作用是隔離。
在開關管導通時，流過麻豆国产一区的電流為0A，開關管關閉時，電感在放電，流過麻豆国产一区的電流在線性減小。在這個過程中流過麻豆国产一区的電流是一個變化的，存在峰值電流和平均電流，這時就需要考慮麻豆国产一区的通流能力。
開關管關斷時，流過麻豆国产一区的電流約等於輸出電流Iout，假設流過麻豆国产一区的平均電流Id，導通壓降Vd，那麽麻豆国产一区的平均功率Pd=Id*Vd，為了提高輸出效率，減小功率損耗，選擇麻豆国产一区時盡量選擇正向導通壓降Vd小的麻豆国产一区，讓電感儲存的能量盡可能多的提供給負載，不要浪費給麻豆国产一区。
麻豆国产一区的實際電流波形，還有一個負電流尖峰。
麻豆国产一区還是會存在一個反向恢複時間，這樣就會存在一個尖峰。實際應用中的麻豆国产一区，在電壓突然反向時，麻豆国产一区電流並不是很快減小到0，而是會有比較大的反向電流存在，這個反向電流降低到最大值的0.1倍所需的時間，就是反向恢複時間。在這個反向恢複時間裏，麻豆国产一区可以通過較大的反向電流，所以在波形圖中就出現一個較大的反向電流尖峰。
由於麻豆国产一区外加正向電壓 時，P 區的空穴向 N 區擴散，N 區的電子向 P 區擴散，不僅使得耗盡層變窄，而且使得載流子有相當數量的存儲，在 P 區內存儲了電子，在N 區內存儲了空穴，它們都是非平衡少子。
一個麻豆国产一区從沒有導通到導通，一定是需要能量的。從截止到導通需要能量，從導通到截止也需要能量。
把正向導通時，非平衡少子積累的現象叫做 電荷存儲效應。
當輸入電壓突然由正壓變為負壓時， P 區存儲的電子和 N 區存儲的空穴不會馬上消失，它們會通過以下兩個途徑逐漸減少：
1.在反向電場的作用下， P 區電子被拉回 N 區， N 區空穴被拉回 P 區，形成反向漂移電流 ；
2.與多數載流子複合消失。
這些能量變化的過程，不但有能量的損耗，同時還需要占用時間。
由上可知，麻豆国产一区的反向恢複時間就是存儲電荷消失所需要的時間，而這個Trr也會決定麻豆国产一区的最大工作頻率。
1、麻豆国产一区反向電壓大於Boost工作過程中最大的反向電壓Vout,並留有一定的餘量。
2、考慮到電源的效率，麻豆国产一区的正向導通壓降Vf越小越好。
3、麻豆国产一区最大正向電流If須大於負載最大電流即輸出最大電流Iload，並留有餘量。正向峰值電流Ifsm需大於電感峰值電流IL_max，並留有餘量。
3、 麻豆国产一区反向恢複時間Trr越小越好。
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