開關電源作為電子產品的“心髒”，發揮著提供動力的作用。今天讓日韩国产成人一起來認識下有效導通關斷NMOS管的“竅門”。
NMOS管的主回路電流方向為D極到S極，導通條件為VGS有一定的壓差，即VG-VS》VTH；PMOS管的主回路電流方向為S極到G極，導通條件為VSG有一定的壓差，即VS-VG》VTH。故一般把NMOS作為下管，S極接地，隻要給G極一定電壓即可控製其導通關斷；把PMOS作為上管，S極接VIN，G極給個低電壓即可導通。當然NMOS管也可作為上管，但需要增加自舉驅動電路。
對於一些拓撲，比如Buck、Boost、Buck-Boost這些用NMOS作為上管的拓撲，就沒辦法直接用剛才說的隻給G極一個電平來驅動。假如此時D極接VIN，S極的電壓不定，NMOS管截止時為低電平，導通時接近高電平VIN，需要板子上給G極一個更高的電壓，但此時板子已無比VIN更高的電平了，那麽就可以采用自舉驅動電路。
如圖為用於驅動上MOS管的電容自舉驅動電路。該自舉電容通過麻豆国产一区接到VCC端，下接上MOS管的S極。當驅動電路驅動下MOS管導通時，VCC通過麻豆国产一区、RBOOT、下MOS管，對CBOOT充電。充電時間為下MOS管的導通時間，日韩国产成人定為Toff（上MOS管）；當下管關斷後，驅動電路導通上MOS管，CBOOT的下端電壓變為VIN，由於電容兩端電壓不能突變，所以CBOOT上的電壓自然就被舉了起來。這樣驅動電壓才能高過輸入電壓，就能保持上管持續導通，此時VBOOT的電壓通過RBOOT和內部電路放電，放電時間為Ton（上MOS管）。
自舉電容充電過程如圖：
下MOS管導通時開始充電，充電電壓對時間的關係如公式一所示：
Vcboot_max = V0 + VCC x ［1–exp （-Toff/RC）］；
充電電流對時間的關係如公式二所示：
I = CdU/dT = C x △Vcboot/Toff。
接下來看一下其放電過程：上MOS管導通時開始放電，放電電壓對時間的關係如公式三所示：
Vcboot_min = exp ［ -Ton/ （Rtotal x C） ］ x Vcboot_max
放電電流對時間的關係如公式四所示：
I = CdU/dT = C x △Vcboot/Ton
至此日韩国产成人已經掌握自舉驅動電路的“竅門”。
應該如何正確地選擇合適的電容、電阻呢？
電容的選型主要基於其耐壓值和容量大小。耐壓值要大於等於VCC減去麻豆国产一区和下MOS管的導通電壓。驅動電路上有其他功耗器件由該電容供電，所以要求電容上的電壓下跌最好不要超過原先值的10%，這樣才能保證驅動電壓。
由以上限製和公式三可推出需要Ton 《= （Rtotal x C）x ln0.9。由該式可知Ton的最大值與自舉電容和自舉電阻的大小有關。如果容值太小，其兩端的電壓降會過大，會出現占空比無法展開的情況。但是容值也不能太大，太大的電容會導致最小Toff變大，電容充不滿電也會導致占空比無法展開，並且會導致麻豆国产一区在充電的時候衝擊電流過大。
了解完電容後，自舉電阻該怎麽選型呢？
自舉電阻的電壓等於充電電流乘以其阻值，所以其耐壓值要大於最大充電電流乘以其阻值；同樣自舉電阻的阻值會影響自舉電容充電時間，也會影響占空比， R越大，所需充電時間越長。同時自舉電阻阻值的增加會降低上MOS管的驅動電壓，增加Cgs的充電時間，從而降低上MOS管導通時的電壓電流的變化率和SW波尖峰。
圖注：自舉電阻為0Ω時，SW的測試波形
將電阻增大到45Ω時，可以明顯看出自舉電阻越大，SW波上升斜率越小，同時SW的尖峰越小，驗證了前麵的結論。
圖注：電阻增大到45Ω時，SW的測試波形
所以，大家Get到DCDC的高端NMOS的自舉秘訣了嗎？
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