什麽是理想麻豆国产一区？
理想麻豆国产一区是一種控製電路，它使用 N 溝道 MOSFET 柵極電壓控製，使 N 溝道 MOSFET 能夠像超低正向電壓麻豆国产一区一樣工作，下圖 (圖1) 為 ADI LTC4359 的電路圖：
圖1 ADI LTC4359 電路圖
理想麻豆国产一区控製器控製 MOSFET 的柵極電壓，從而控製漏極、源極導通，如下圖 (圖2) 所示。本文將為大家介紹理想麻豆国产一区控製器的主要電路模塊、優點，以及 ADI 低靜態電流理想麻豆国产一区控製器 LTC4372/4373，它可提高汽車安全性並解決 ECU 散熱和空間問題。
圖2 理想麻豆国产一区控製器控製 MOSFET 的柵極電壓
理想麻豆国产一区控製器的主要電路模塊
理想麻豆国产一区控製器的主要電路模塊包括：
1. 電荷泵 (Charge Pump)：用於為 N 溝道 MOSFET 產生柵極電壓的升壓電源。為了驅動 N 溝道 MOSFET 高壓側，N 溝道 MOSFET 的柵極電壓必須比輸入電壓高約 5V，因此升壓電荷泵產生的電壓必須比輸入端電壓高 11.5V。
2. 遲滯柵極驅動器 (Hysteric Gate Driver)：N 溝道 MOSFET 柵極驅動器。對 N 溝道 MOSFET 的柵極電壓進行控製，使 IN 和 OUT 引腳之間的電位差 (N 溝道 MOSFET 的漏極和源極之間的電位差) 小於 10mV。
3. 反向電流比較器 (Reverse Current Comparator)：如下圖 (圖3) 所示，當 IN 引腳電壓比 OUT 引腳電壓低 30mV 或更低時，內置 N 溝道 MOSFET 會將柵極電壓降低至源極電壓，以停止 N 溝道 MOSFET 的反向電流。
圖3 反向電流比較器工作流程
理想麻豆国产一区的優點
理想麻豆国产一区具有簡化散熱機製，改善功率損耗的優點，下圖 (圖4)、(圖5) 分別展示了 ADI LTC4372 電路圖和功率麻豆国产一区與理想麻豆国产一区對比。理想麻豆国产一区可將功率麻豆国产一区正向電壓降產生的 7.0W 損耗降低到 0.5W，簡化了散熱機製，從而使功率損耗改善到整體的 0.5%。
圖4 ADI LTC4372 電路圖
圖5 功率麻豆国产一区與理想麻豆国产一区對比
ADI 理想麻豆国产一区產品陣容
ADI 提供廣泛的產品，以滿足各種需求。下圖為 ADI 的產品陣容及相關性能對比：
圖6 ADI 理想麻豆国产一区產品陣容
ADI 低靜態電流理想麻豆国产一区控製器 LTC4372/4373
LTC4372/LTC4373 是一款正高壓理想麻豆国产一区控製器，具有 5uA 的低靜態電流 (工作電流) 和 0.5uA (關斷電流)、2.5V~80V 工作電壓和 8 引腳 MOP 和 DFN (3mm×3mm) 的小型封裝。LTC4372/LTC4373 的主要特點如下：
反向電源保護至 –28V
寬工作電壓範圍：2.5V~80V
1.5μs 內進行快速反向電流關斷
高端外部 N 通道 MOSFET 驅動器
通過更換功率肖特基麻豆国产一区來降低功耗
低靜態電流：5uA 工作電流，0.5uA 關斷電流
采用 8 引腳 MSOP 和 3mm×3mm DFN 封裝
驅動背對背 MOSFET，以進行浪湧控製和負載切換
此外， LTC4372 內置 2uA 上拉電流源，可避免使用高電阻。如果開關電路需要上拉電路，LTC4372 是理想之選。
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