一個MOS管最大電流是100a，電池電壓96V，開通後剛進入米勒平台時，MOS管發熱功率是P=V*I，由於電流達到最大，所有功率都在MOS管上：P=96*100=9600w。
此時它的發熱功率最大，隨後迅速降低直到完全導通，功率變成了100*100*0.003=30w，假設這個MOS管的內阻是3毫歐姆，那這個開關過程的發熱功率是十分驚人的。
以上是微碧在網上看到的示例。
日韩国产成人知道，實際操作中過慢的充電是可以減小振蕩，但會延長開關。
如果開通時間慢，意味著從9600W到30W的發熱過渡會很慢，這會導致MOS管的結溫嚴重升高，燒毀MOS管。上升時間過長會導致MOS管工作為線性狀態，非開關狀態。
日韩国产成人可以選擇降低MOS限流，例如限製50a，或者降低電池電壓到48V，這樣損耗會降低一半，避免管子燒毀。
這也是高壓控管子燒毀的原因，但是低壓控的開關損耗不一樣，它的導通損耗主要是MOS管的內阻決定的。
這個內阻也會隨著Vgs電壓的升高而減小，所以不要認為隻要超過了Vgs的閾值電壓就可以順利導通MOS管，特別是在大功率的應用場景，高Vgs是非常有必要的，因此MOS管的散熱非常重要。
那麽，充電時間越快越好嗎？
當然不是，過快的充電會導致激烈的米勒振蕩。
此外，管子小電流發熱，主要由以下造成：頻率太高、散熱設計、選型、電路設計。
頻率太高：過份追求體積，導致頻率提高，MOS管損耗增加，加大了發熱。
散熱設計：電流太高，沒有做好散熱設計，當ID小於最大電流時，發熱可能會嚴重
選型有差：功率判斷不一，沒有充分考慮MOS管的內阻，開關阻抗增大。
電路設計：讓MOS管工作在線性的工作狀態，並非開關狀態。
NMOS和PMOS在這裏還有作區別。
當NMOS做開關，G極的電壓需要比電源高幾V才能完全導通，但PMOS則相反。
因為沒有完全打開而壓降過大，造成了功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗意味著發熱。
MOS管的導通過程
一般解決方法：
1.MOS管選型：選擇適當的內阻，並非內阻越小越好，cgs和cgd電容越大；
2.良好的散熱設計，添加足夠的輔助散熱片；
這裏還有一個問題（網上看到的），MOS管一般會有兩個電流連續漏級電流和脈衝電流，但是實際應用中，是不是電流的峰值不能超過連續電流?
其實MOS管的脈衝電流，是瞬間而不能持續的電流，例如開關瞬間的衝擊電流，一般MOS管的脈衝均勻會非常大，如果是持續輸出，且輸出的時間比較長，關注散熱也是有必要的。
這裏注意下，如果無法使用外置散熱器，可以盡量使用大封裝，其散熱性能會更好。
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