相比麻豆国产一区，使用MOS管作為電池反向保護的電路設計並不常見。然而常用的麻豆国产一区反向保護也存在一些缺點：壓降很高。這在低壓電流中容易產生許多問題，相反，MOS管反而解決了這個問題。
為什麽需要反向保護?
在直流係統中，當電池接反時，使用電池作為電源的電路會遭到損壞。
今天日韩国产成人主要分為NMOS和PMOS兩部分進行講解。
日韩国产成人看下麵這個電路：NMOS
電路開啟時，電流從電池的正極端子流向設備，隨後流向體麻豆国产一区，最後流向電池的負極端子。
此時，體麻豆国产一区在正向偏置時導通。
當體麻豆国产一区打開時，現有的電流在電路中循環。
這時柵極電壓為
Vgs=Vg-Vs
Vg=V電池
Vs=麻豆国产一区壓降
VGS = VG – VS = Vbattery – 麻豆国产一区壓降
這會導致施加到MOSFET柵極到源極的正電平。因此，NMOS將開始導通，電流將流向溝道而並非麻豆国产一区。
日韩国产成人看下麵的電路：PMOS
當電池電壓存在時，電流流經體麻豆国产一区，體麻豆国产一区導通；這是因為陽極側施加了正電壓，但電池電壓必須高於麻豆国产一区的正向偏置電壓。
當麻豆国产一区為正向偏置時，MOSFET源極中的電壓電平，回味電池電壓減去體麻豆国产一区的壓降。
MOSFET的柵極連接到電池負極端子或者接地，意味著施加到柵極和源極的電壓為：
Vgs=Vg-VS
Vg=0V
VS = Vbattery – Vdrop（這是一個正值）
VGS = VG – VS = 0V – 正電壓 = 負電壓
當施加到柵極與源極的電壓為負時，PMOS將會被激活。
不過，它需要滿足每個MOSFET柵極到源極電壓的要求，一般額定電壓限製在+/-20V。
當MOSFET激活時，通道將會關閉，電流流經MOS，不會流向體麻豆国产一区。
在反向電壓電路中，NMOS和PMOS這兩種電路，電池反向期間，電路電流基本為零。這相當於不允許MOS管電流流動，從而保護連接到電池的電路或者設備。
MOSFET作為反向電池保護，連接的方式相比麻豆国产一区會複雜一些，但它能夠實現較低的壓降，性能較高，因此它非常適用於低壓應用。
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