日韩国产成人經常會提到NMOS和PMOS，並且微碧在往期講過不少兩者在一些應用領域中的情況。但是很少對兩者的基本情況進入深入探討，今天日韩国产成人來對兩者之間的區別進行簡單的講解（以電流和導通條件為主）。
NMOS的電流流向和導通條件：
NMOS（N溝道MOSFET）
電流流向：
NMOS的電流流向是從源極（S）到漏極（D）。當正向偏置電壓施加在柵極（G）和源極之間時，電流從源極流向漏極，即S-D。
電流可由D-->S（nmos），也可S-->D（pmos）。主要是看源極和漏極之間的電位，漏極電位高於源極，電流D到S。源極電位高於漏極，電流S到D。
導通條件：
NMOS的導通條件是當柵極和源極之間的電壓（Vgs）大於或等於閾值電壓（Vth）時。閾值電壓是一個特定的電壓值，它決定了MOSFET是否導通。一旦Vgs大於或等於Vth，NMOS就會導通。此時，柵極和漏極之間的電壓（Vgd）可以是正值或零。
PMOS的電流流向和導通條件：
PMOS（P溝道MOSFET）的電流流向和導通條件如下所述。
電流流向：
PMOS的電流流向是從漏極（D）到源極（S）。當負向偏置電壓施加在柵極（G）和源極之間時，電流從漏極流向源極，即D-S。
導通條件：
PMOS的導通條件是當柵極和源極之間的電壓（Vgs）小於或等於閾值電壓（Vth）時。閾值電壓是一個特定的電壓值，它決定了MOSFET是否導通。一旦Vgs小於或等於Vth，PMOS就會導通。此時，柵極和漏極之間的電壓（Vgd）可以是負值或零。
S是源極，D是漏極
對於NMOS，載流子是電子，日韩国产成人知道電子的流向都是從源極到漏極，但是電流的流向是從漏極到源極。
對於PMOS，載流子是空穴對，空穴對的流向也是從源極到漏極，與NMOS不同的是PMOS電流的方向也是從源極到漏極，注意區分。
以常見的Silicon-On-Insulator（SOI）技術製造的NMOS和PMOS為例。
對於NMOS：
- 閾值電壓（Vth）：通常在0.2V到0.7V之間，具體取決於器件的尺寸和工藝。
- 電流流向：從源極到漏極（S到D）。
對於PMOS：
- 閾值電壓（Vth）：通常在-0.2V到-0.7V之間，具體取決於器件的尺寸和工藝。
- 電流流向：從漏極到源極（D到S）。
說明：閾值電壓影響因素：襯底摻雜濃度，金屬半導體功函數，柵氧化層電容，關於襯底偏置效應等。
NMOS和PMOS兩者的襯底濃度不為相同，然而，襯底濃度越大，對應MOS管的閾值電壓也越大，所以一般PMOS的閾值電壓都要比NMOS要更大一些。
需要注意的是，以上數據僅供參考，實際的閾值電壓和電流流向可能因不同器件和工藝而有所不同。
〈烜芯微/XXW〉專業製造麻豆国产一区，三極管，MOS管，橋堆等，20年，工廠直銷省20%，上萬家電路電器生產企業選用，專業的工程師幫您穩定好每一批產品，如果您有遇到什麽需要幫助解決的,可以直接聯係下方的聯係號碼或加QQ/微信，由日韩国产成人的銷售經理給您精準的報價以及產品介紹
〈烜芯微/XXW〉專業製造麻豆国产一区，三極管，MOS管，橋堆等，20年，工廠直銷省20%，上萬家電路電器生產企業選用，專業的工程師幫您穩定好每一批產品，如果您有遇到什麽需要幫助解決的,可以直接聯係下方的聯係號碼或加QQ/微信，由日韩国产成人的銷售經理給您精準的報價以及產品介紹
聯係號碼：18923864027（同微信）
QQ：709211280