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開關損耗測量中需要注意的問題分析
2023-04-14
開關(guan) 損耗測量中需要注意的問題分析開關(guan) 損耗測量中應考慮哪些問題在實際的測量評估中，日韩国产成人用一個(ge) 通道測量電壓，另一個(ge) 通道測量電流，然後軟
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驅動電路中的誤開通介紹
2023-04-14
驅動電路中的誤開通介紹驅動電路中的誤開通功率器件如 MOSFET、IGBT 可以看作是一個(ge) 受門極電壓控製的開關(guan) 。當門極電壓大於(yu) 開通閾值時，功
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驅動電路中的誤開通怎麽避免
2023-04-13
驅動電路中的誤開通怎麽(me) 避免避免驅動誤開通的方法門極電阻、電容法為(wei) 了避免功率管的誤開通，常用的方法是通過調整門極驅動的電阻和電容，如
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SiC MOSFET橋臂串擾問題,誤開通詳解
2023-04-13
SiC MOSFET橋臂串擾問題,誤開通詳解相較於(yu) 傳(chuan) 統的Si功率器件，SiC MOSFET具有更小的導通電阻，更快的開關(guan) 速度，使得係統損耗大幅降低，效
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MOS管驅動電路功率損耗怎麽計算
2023-04-13
MOS管驅動電路功率損耗怎麽(me) 計算在一些大電流的MOS管應用電路中，功耗越大，意味著發熱越多，器件溫升就越高，這對於(yu) 電路的穩定工作而言是個(ge)
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小功率電源MOS管驅動電路設計圖文介紹
2023-04-12
小功率電源MOS管驅動電路設計圖文介紹MOS管驅動電路設計對於(yu) 小功率電源(50W以內(nei) )MOS管的驅動電路設計相對簡單，隻需要一個(ge) 驅動電阻Rg即可對
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SiC MOSFET尖峰產生原因與抑製介紹
2023-04-12
SiC MOSFET尖峰產(chan) 生原因與(yu) 抑製介紹SiC MOSFET DS電壓尖峰產(chan) 生原因在半橋電路中，針對MOS漏極和源極產(chan) 生的尖峰抑製方法之一就是增加緩衝(chong)
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MOSFET應用,緩衝電路種類詳解
2023-04-12
MOSFET應用,緩衝(chong) 電路種類詳解緩衝(chong) 電路的種類緩衝(chong) 電路分為(wei) 由電阻、線圈和電容器等被動部件組合的電路，和包含半導體(ti) 元器件的主動電路。為(wei) 了
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緩衝電路設計方法介紹
2023-04-11
緩衝(chong) 電路設計方法介紹緩衝(chong) 電路的設計方法1．圖所示的緩衝(chong) 電路是通過CSNB 吸收LTRACE 積蓄的能量。因此，在緩衝(chong) 電路中形成的LSNB 必須比L
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不同封裝造成的電壓尖峰差異介紹
2023-04-11
不同封裝造成的電壓尖峰差異介紹SiC MOSFET 作為(wei) 第三代寬禁帶半導體(ti) 具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(you) 勢，在
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同步降壓MOSFET電阻比正確選擇介紹
2023-04-11
同步降壓MOSFET電阻比正確選擇介紹在本文中，日韩国产成人將研究在同步降壓功率級中如何對傳(chuan) 導功耗進行折中處理，而其與(yu) 占空比和 FET 電阻比有關(guan)
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DCDC,電源IC損耗計算方法介紹
2023-04-10
DCDC,電源IC損耗計算方法介紹本文將在簡單的前提下，介紹一種利用現有數據求出電源IC損耗的方法。損耗的簡單計算方法在很多情況下，電源IC