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電壓檢測電路,24V低壓檢測電路介紹
2023-02-03
電壓檢測電路,24V低壓檢測電路介紹24V低壓檢測電路當電壓采樣速率低和要求低時，左邊電路圖即可滿足；當采樣速率和精度要求比較高時，采用
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電路設計,低電壓控製高電壓解析
2023-02-03
電路設計,低電壓控製高電壓解析行業(ye) 規定安全電壓為(wei) 不高於(yu) 36V，持續接觸安全電壓為(wei) 24V，安全電流為(wei) 10mA，所以在各種電子產(chan) 品中都有隔離控製
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過驅動電壓Veff/Vod的詳解
2023-02-03
過驅動電壓Veff Vod的詳解過驅動電壓Veff Vod定義(yi) Veff=VGS-VTH，表示過驅動電壓。表示的是柵源電壓-閾值電壓。其實是一個(ge) 變值，會(hui) 隨VGS電壓
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過驅動電壓對電路失配有什麽影響
2023-02-02
過驅動電壓對電路失配有什麽(me) 影響運放失配設計圖1 電阻負載運放根據拉紮維《模擬CMOS集成電路設計》中14 2 1節的推導，電阻負載的運放的直
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PMOS,NMOS的電流方向與工作區解析
2023-02-02
PMOS,NMOS的電流方向與(yu) 工作區解析首先討論電流的參考方向，從(cong) 結論直觀來看電流的參考方向定義(yi) 為(wei) 箭頭的方向(即對於(yu) 兩(liang) 種管子，電流的正方向都
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開關電源的損耗改善方法圖文介紹
2023-02-02
開關(guan) 電源的損耗改善方法圖文介紹開關(guan) 損耗的改善輸入部分損耗1、脈衝(chong) 電流造成的共模電感T的內(nei) 阻損耗加大適當設計共模電感，包括線徑和匝數2
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MOS管參數,MOS管散熱,功率,電流參數介紹
2023-02-01
MOS管參數,MOS管散熱,功率,電流參數介紹MOS管有如下參數：Operating Junction ：Tmin-Tmax。Continuous Drain Current（Rjc）：I（T=Tc
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模電分享,電壓源與電流源的轉換介紹
2023-02-01
模電分享,電壓源與(yu) 電流源的轉換介紹電壓源可以等效轉換為(wei) 一個(ge) 理想的電流源IS和一個(ge) 電阻RS的並聯。電流源可以等效轉換為(wei) 一個(ge) 理想電壓源US和
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電流,電壓,電阻,功率關係解析
2023-02-01
電流,電壓,電阻,功率關(guan) 係解析電流、電壓、電阻、功率是電子電路中的重要技術參數，相關(guan) 參量都可以根據其基本原理計算得出。本文主要對電流
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電路設計,MOS管參數計算介紹
2023-01-31
電路設計,MOS管參數計算介紹MOS管參數計算設計電路尺寸時，需要用到薩支唐公式，那麽(me) 如何得到公式中的Vth和unCox呢？方法1：看工藝的model
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Cadence仿真,MOS管參數名稱詳解
2023-01-31
Cadence仿真,MOS管參數名稱詳解Cadence仿真中，MOS管的參數很多，有些參數可以直接添加到計算器中，進行數據的計算。type：MOS管類型，可能
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Cadence仿真,NMOS管的漏端輸出電阻介紹
2023-01-31
Cadence仿真,NMOS管的漏端輸出電阻介紹NMOS管的漏端輸出電阻nmos管的輸出電阻可以將柵端接地，在漏端加一個(ge) 直流電壓，測量Id ，然後作兩(liang) 者