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場效應管的跨導gm理解與解析
2022-11-29
場效應管的跨導gm理解與(yu) 解析指輸出端電流的變化值與(yu) 輸入端電壓的變化值之間的比值。在SI單位中，西門子公司，用符號，S；1西門子=1安培每伏
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MOS管,MOS管溝道/反型層解析
2022-11-29
MOS管,MOS管溝道 反型層解析MOSFET的核心部分是柵極及其下麵的MOS係統。MOSFET的工作就是通過控製MOS的半導體(ti) 表麵勢阱——反型層（導電溝道
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共源級放大器偏置設計詳解
2022-11-28
共源級放大器偏置設計詳解共源級放大器的偏置電路設計一個(ge) 合適的偏置電路設計是放大器工作的前提，偏置電路需要使MOSFET工作在飽和區。如圖
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共源級放大電路的小信號圖文解析
2022-11-28
共源級放大電路的小信號圖文解析共源級放大電路小信號放大電路的小信號分析主要考慮三個(ge) 參數，放大倍數、輸入阻抗和輸出阻抗，這三個(ge) 參數直
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MOSFET-N溝道,P溝道MOS管的不同點介紹
2022-11-28
MOSFET-N溝道,P溝道MOS管的不同點介紹N溝道和P溝道MOS管區別1、芯片材質不同雖然芯片都是矽基，但是摻雜的材質是不同，使得N溝道MOS管是通
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充電器電源變換電路的分析和應用介紹
2022-11-26
充電器電源變換電路的分析和應用介紹分析一個(ge) 電源，往往從(cong) 輸入開始著手。220V交流輸入，一端經過一個(ge) 4007半波整流，另一端經過一個(ge) 10歐的電
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電源延遲接通電路詳解
2022-11-26
電源延遲接通電路詳解在設計電子電路時 有時希望在合上開關(guan) 後，電源延遲一會(hui) 再接通。例如在有輸出的設備上，希望設備工作穩定後再輸出。在
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結型場效應管(JFET)的基礎知識介紹
2022-11-26
結型場效應管(JFET)的基礎知識介紹在N區兩(liang) 側(ce) 擴散兩(liang) 個(ge) P+區，形成兩(liang) 個(ge) PN結。兩(liang) 個(ge) P+區相連，引出柵極g。N體(ti) 的上下兩(liang) 端分別引出漏極d和源極s。
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解析MOS管在功放中的應用,正負溫管
2022-11-25
解析MOS管在功放中的應用,正負溫管MOS管跟三極管的區別;MOS管是電壓控製器件，它隻要小量的Qg驅動電流就能動作了。而三極管是電流驅動器件
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MOSFET的開啟過程詳解圖文介紹
2022-11-25
MOSFET的開啟過程詳解圖文介紹MOSFET的開啟過程在講解MOSFET的開啟過程之前，先說以下電容C的充放電過程，下麵以1uF陶瓷電容為(wei) 例，日韩国产成人仿真
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模擬電路Gm-運放增益計算介紹
2022-11-25
模擬電路Gm-運放增益計算介紹先來看一個(ge) golden rule：gate 和drain的變換方向相反source 和drain的變換方向相同如果M1的gate是Vip，也就
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CMOS運放設計,關於電流鏡解析
2022-11-24
CMOS運放設計,關(guan) 於(yu) 電流鏡解析工作點小信號是大信號工作在固定偏置點下電路體(ti) 現，那麽(me) 為(wei) 了得到日韩国产成人需要的小信號性能，例如運放的增益，BW，G