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MOS管導通損耗的計算方法介紹
2024-07-26
MOS管導通損耗的計算方法介紹MOS 管計算導通損耗時，應該用平均電流IAVG還是用電流有效IRMS值呢？先定義(yi) 下相關(guan) 參數，以便於(yu) 後續的計算．IO
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MOS管是如何被靜電擊穿的
2024-07-26
MOS管是如何被靜電擊穿的MOS管一個(ge) ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電
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MOS管並聯的問題與解決方案介紹
2024-07-26
MOS管並聯的問題與(yu) 解決(jue) 方案介紹一 MOS管並聯的問題以及解決(jue) 方案對於(yu) NMOS而言，日韩国产成人在G極施加正電壓，會(hui) 吸引負電荷從(cong) 而形成導通溝道，從(cong) MOS
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影響MOS管驅動電壓降低的解析
2024-07-26
影響MOS管驅動電壓降低的解析MOS管（金屬氧化物半導體(ti) 場效應晶體(ti) 管）的驅動電壓降低可能會(hui) 受到以下因素的影響：負載特性： 如果MOS管連接
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電源MOS管的驅動電路設計介紹
2024-07-26
電源MOS管的驅動電路設計介紹1、對於(yu) 小功率電源(50W以內(nei) )MOS管的驅動電路設計相對簡單，隻需要一個(ge) 驅動電阻Rg即可對MOS管進行驅動。此時的
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MOS管的種類,結構與導通特性介紹
2024-07-26
MOS管的種類,結構與(yu) 導通特性介紹01 MOS管種類&結構MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被製造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種
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MOS管的死區損耗計算介紹
2024-07-25
MOS管的死區損耗計算介紹MOS 管在逆變電路，開光電源電路中經常是成對出現，習(xi) 慣上稱之為(wei) 上管和下管，如圖Figure 1中的同步Buck 變換器
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MOS管驅動電路,低壓,寬壓與雙電壓應用介紹
2024-07-25
MOS管驅動電路,低壓,寬壓與(yu) 雙電壓應用介紹MOS驅動，有幾個(ge) 特別的需求1，低壓應用當使用5V電源，這時候如果使用傳(chuan) 統的圖騰柱結構，由於(yu) 三極
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怎麽在電源上選擇MOS管
2024-07-25
怎麽(me) 在電源上選擇MOS管在開關(guan) 電源應用MOS管的時候，在很多電源設計人員的都將采用一套公式，質量因數(柵極電荷QG ×導通阻抗RDS(ON))
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MOS管的高端驅動與低端驅動介紹
2024-07-25
MOS管的高端驅動與(yu) 低端驅動介紹低端驅動：MOS管相對於(yu) 負載在電勢的低端，其中D通過負載接電源，S直接接地。對於(yu) NMOS，隻有當Vgs大於(yu) 開啟電
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MOS管的工作原理詳細介紹
2024-07-25
MOS管的工作原理詳細介紹以Ntype MOS晶體(ti) 管為(wei) 例，探討MOS管的工作原理。放大作用的實質是控製作用，為(wei) 探究柵極電壓對溝道的控製作用，先將
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mos管寄生電容介紹,寄生電容形成的原因解析
2024-07-25
mos管寄生電容介紹,寄生電容形成的原因解析MOS管規格書(shu) 中有三個(ge) 寄生電容參數，分別是：輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳(chuan) 輸電容Crss。該