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MOS管發熱的處理方法介紹
2024-07-20
MOS管發熱的處理方法介紹先從(cong) 理論上分析MOS管選型是否合理，從(cong) MOS管的規格書(shu) 上獲取MOS管的參數，包括導通電阻、g、s極的導通電壓等。在確保
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MOS管驅動電路,導通特性與開關管損失解析
2024-07-20
MOS管驅動電路,導通特性與(yu) 開關(guan) 管損失解析MOSFET管FET的一種（另一種是JEFT），可以被製造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際
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解析MOS管功率損耗怎麽測
2024-07-20
解析MOS管功率損耗怎麽(me) 測做開關(guan) 電源，常用功率MOSFET。一般而言，MOS管製造商采用RDS（ON）參數來定義(yi) 導通阻抗;對ORing FET應用來說，RDS
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MOS管發熱問題的解決方法介紹
2024-07-20
MOS管發熱問題的解決(jue) 方法介紹在進行開關(guan) 電源測試中，除了用三用表測量控製電路其他器件的引腳電壓，比較重要的是用示波器測量相關(guan) 的電壓波
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MOS管的開關條件解析
2024-07-20
MOS管的開關(guan) 條件解析控製極電平為(wei) ？ V 時MOS管導通（飽和導通）？控製極電平為(wei) ？ V 時MOS管截止？不論N溝道還是P溝道MOS管，G
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MOS管與IGBT的區別詳解
2024-07-19
MOS管與(yu) IGBT的區別詳解在電子電路中，MOS管和IGBT管會(hui) 經常出現，它們(men) 都可以作為(wei) 開關(guan) 元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數也比較相似
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插件mos管怎麽分方向介紹
2024-07-19
插件mos管怎麽(me) 分方向介紹插件MOS管的方向可以通過查看其外形來判斷，一般來說，插件MOS管的源極和漏極分別位於(yu) 其兩(liang) 端，而控製電壓的輸入端
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mos管的原理和特點詳解
2024-07-19
mos管的原理和特點詳解MOSFET又可分為(wei) N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。工作原理MOS管的工作狀態主要取決(jue) 於(yu) 柵源電壓Vgs。當Vgs
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MOS管的半導體結構詳細介紹
2024-07-19
MOS管的半導體(ti) 結構詳細介紹一、 MOS管的半導體(ti) 結構作為(wei) 半導體(ti) 器件，它的來源還是最原始的材料，摻雜半導體(ti) 形成的 P 和 N 型物質。那麽(me)
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MOS管的快速開啟與關閉,MOS管驅動電路設計介紹
2024-07-19
MOS管的快速開啟與(yu) 關(guan) 閉,MOS管驅動電路設計介紹MOS管的source和drain是可以對調的，他們(men) 都是在P型backgate中形成的N型區。 在多數情況下，
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影響mos管壽命的因素解析
2024-07-19
影響mos管壽命的因素解析MOS管（金屬氧化物半導體(ti) 場效應晶體(ti) 管）作為(wei) 一種常見的電子元件，其壽命的長短對於(yu) 電子產(chan) 品的質量和可靠性都有著重
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MOS管,MOS管的參數解讀
2024-07-19
MOS管的參數解讀MOS管數據手冊(ce) 上的相關(guan) 參數有很多，下麵一起來看一看，MOS管的數據手冊(ce) 一般會(hui) 包含哪些參數吧。極限參數也叫絕對最大額定參