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MOS管泄漏電流,各種漏電流,減小泄露方法介紹
2024-05-10
MOS管泄漏電流,各種漏電流,減小泄露方法介紹理想的MOS晶體(ti) 管不應該有任何電流流入襯底或者阱中，當晶體(ti) 管關(guan) 閉的時候D S之間不應該存在任何
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純電阻電路,公式,和非純電阻電路的區別詳解
2024-05-10
純電阻電路,公式,和非純電阻電路的區別詳解純電阻電路是指電流通過導體(ti) 時，因導體(ti) 的電阻把電能轉化為(wei) 熱能的電路。純電阻電路是除電源外，隻
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B值是什麽,熱敏電阻的B值介紹
2024-05-09
B值是什麽(me) ,熱敏電阻的B值介紹熱敏電阻B值B值是熱敏電阻器的材料常數，即熱敏電阻器的芯片（一種半導體(ti) 陶瓷）在經過高溫燒結後，形成具有一
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單結晶體管符號,原理,單結晶體管觸發電路介紹
2024-05-09
單結晶體(ti) 管符號,原理,單結晶體(ti) 管觸發電路介紹單結晶體(ti) 管介紹單結晶體(ti) 管（UJT）又稱基極麻豆国产一区，是一種隻有一個(ge) PN結和兩(liang) 個(ge) 電阻接觸電極的半
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bat54c參數,bat54c 5V轉3.3V,bat54c電路圖解
2024-05-09
bat54c參數,bat54c 5V轉3 3V,bat54c電路圖解bat54c參數直流反向耐壓(Vr): 30V平均整流電流(Io): 200mA正向壓降(Vf): 1V @ 100mA反向
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串聯電路電壓,串聯電路電壓公式,規律詳解
2024-05-09
串聯電路電壓,串聯電路電壓公式,規律詳解串聯電路電壓規律串聯電路的總電壓等於(yu) 各部分電路兩(liang) 端電壓之和。串並聯電路的電壓規律是電路連接的
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延時電路圖,555延時電路圖設計介紹
2024-05-09
延時電路圖,555延時電路圖設計介紹觸摸延時電路圖這個(ge) 觸摸延時電路圖簡單實用，電路原理：延遲開關(guan) 電路見圖D1—D1，SCR組成開關(guan) 的主回路，B
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平帶電壓詳解,MOS平帶電壓圖文介紹
2024-05-09
平帶電壓詳解,MOS平帶電壓圖文介紹平帶電壓一塊單純的半導體(ti) ，它的能帶各處都一樣，所以在空間分布上，能帶沒有彎曲，也就是平的。當一塊金
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正向恢複時間與反向恢複時間解析
2024-05-09
正向恢複時間與(yu) 反向恢複時間解析正向恢複時間正向恢複時間的定義(yi) ：從(cong) 麻豆国产一区反向截止狀態到指定的正向導通狀態所需要的時間。正向恢複時間產(chan)
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單片機的工作原理,單片機的作用介紹
2024-05-08
單片機的工作原理,單片機的作用介紹單片機是由微處理器、存儲(chu) 器、輸入輸出接口、定時計數器、模擬數字轉換器等多種功能模塊組成的微型計算
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rcd電路,剩餘電流保護器(RCD)介紹
2024-05-08
rcd電路,剩餘(yu) 電流保護器(RCD)介紹剩餘(yu) 電流動作保護裝置（RCD）是具有漏電保護功能的開關(guan) 設備，當電氣線路和電氣設備發生單相接地故障時，利
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影響MOS管開關速度的因素,米勒效應詳解
2024-05-08
影響MOS管開關(guan) 速度的因素,米勒效應詳解米勒效應，在電子學反相放大電路中，輸入與(yu) 輸出之間的分布電容或寄生電容由於(yu) 放大器的放大作用，其等