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電路設計,MOS管電容近似計算方法介紹
2023-05-30
電路設計,MOS管電容近似計算方法介紹Cox的理論計算方式在電路設計零極點計算中，日韩国产成人經常需要對MOS管的柵電容進行理論估算，柵電容Cgg=Cox*
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集成電容,MOS電容和平板電容解析
2023-05-30
集成電容,MOS電容和平板電容解析電容是一種對電荷信號進行處理的無源器件。與(yu) 電阻類似,電容在數模混合電路係統中有十分廣泛的應用,如運放中
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MIM,MOM與MOS電容的區別圖文解析
2023-05-29
MIM,MOM與(yu) MOS電容的區別圖文解析ic layout經常會(hui) 遇到這三種電容： MOS， MOM ， MIM。MOS 電容：兩(liang) 端結構的mos管，電容值不精確，可
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先進工藝下MIM電容和MOM電容的比較解析
2023-05-29
先進工藝下MIM電容和MOM電容的比較解析1、單位麵積容值相同的單位麵積容值，電容值 MIM < MOM，MIM 約是1 3 MOS電容值。2、工藝實現和
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MOS管寄生電容怎麽形成
2023-05-29
MOS管寄生電容怎麽(me) 形成MOS管規格書(shu) 中有三個(ge) 寄生電容參數，分別是：輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳(chuan) 輸電容Crss。該三個(ge) 電容參數具體(ti) 到管
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超結功率MOSFET輸出電容遲滯效應解析
2023-05-27
超結功率MOSFET輸出電容遲滯效應解析超級結 MOSFET (SJ-MOS)英文名稱叫Super Junction MOSFET。為(wei) 了解決(jue) 額定電壓提高而導通電阻增加的
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超結MOSFET輸出電容遲滯效應產生原因解析
2023-05-27
超結MOSFET輸出電容遲滯效應產(chan) 生原因解析超結功率MOSFET輸出電容遲滯效應產(chan) 生原因超結功率MOSFET技術目前采取多層外延和深溝槽工藝，相對於(yu)
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結電容Cgd Cgs Cds和分布參數Ciss Crss Coss介紹
2023-05-27
結電容Cgd Cgs Cds和分布參數Ciss Crss Coss介紹結電容的定義(yi) 適用於(yu) 所有的FET，並不局限於(yu) VMOS，也適用於(yu) 所有的VMOS晶體(ti) 管，隻是測定方
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MOS管RDS(on)與VGS(th)溫度特性圖文解析
2023-05-26
MOS管RDS(on)與(yu) VGS(th)溫度特性圖文解析分別找一份PMOS和一份NMOS的datasheet，看下導通電阻的正溫度特性，閾值電壓的負溫度特性是什麽(me) 樣的
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電源電路,幾種產生負電源的方法介紹
2023-05-26
電源電路,幾種產(chan) 生負電源的方法介紹電源電路是電路設計的重要環節，一般情況下，單電源能實現功能的用單電源就行，可選的方案很多，DC-DC、
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負電壓的產生電路圖原理解析
2023-05-26
負電壓的產(chan) 生電路圖原理解析在電子電路中日韩国产成人常常需要使用負電壓，比如說日韩国产成人在使用運放的時候常常需要建立一個(ge) 負電壓。下麵請看日韩国产成人在單片
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負電壓電路,負電壓產生電路圖介紹
2023-05-25
負電壓電路,負電壓產(chan) 生電路圖介紹一個(ge) 負電壓產(chan) 生電路：利用電容充電等效出一個(ge) 新電源，電容串聯在GND後，等效為(wei) 電源2，則產(chan) 生負電壓。1、電